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160N60UFD 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 160N60UFD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 160N60UFD 자료 제공

부품번호 160N60UFD 기능
기능 Ultrafast IGBT
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


160N60UFD 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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160N60UFD 데이터시트, 핀배열, 회로
SGL160N60UFD
Ultrafast IGBT
IGBT
General Description
Fairchild's UFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors
(IGBTs) provides low conduction and switching losses.
The UFD series is designed for applications such as motor
control and general inverters where high speed switching is
a required feature.
Features
• High speed switching
• Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.1 V @ IC = 80A
• High input impedance
• CO-PAK, IGBT with FRD: trr = 75nS (typ.)
Applications
AC & DC motor controls, general purpose inverters, robotics, servo controls, and power supplies.
C
G CE
TO-264
Absolute Maximum Ratings TC = 25°C unless otherwise noted
Symbol
VCES
VGES
IC
ICM (1)
IF
IFM
PD
TJ
Tstg
TL
Description
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
@ TC = 25°C
@ TC = 100°C
Diode Continuous Forward Current
Diode Maximum Forward Current
@ TC =100°C
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
@ TC = 25°C
@ TC = 100°C
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC(IGBT)
RθJC(DIODE)
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
G
E
SGL160N60UFD
600
± 20
160
80
300
25
280
250
100
-55 to +150
-55 to +150
300
Typ.
--
--
--
Max.
0.5
0.83
25
Units
V
V
A
A
A
A
A
W
W
°C
°C
°C
Units
°C/W
°C/W
°C/W
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
SGL160N60UFD Rev. B1




160N60UFD pdf, 반도체, 판매, 대치품
8000
7000
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
1
Cies
Common Emitter
V = 0V, f = 1MHz
GE
T = 25
C
Coes
Cres
10
Collector - Emitter Voltage, VCE [V]
30
Fig 7. Capacitance Characteristics
2000
1000
Common Emitter
V = 300V, V = ± 15V
CC GE
I = 80A
C
TC = 25
TC = 125
Toff
Tf
100
Tf
30
1
10
Gate Resistance, RG []
Fig 9. Turn-Off Characteristics vs.
Gate Resistance
80
500
100
Ton
Common Emitter
Tr
10
VCC = 300V, VGE = ± 15V
R
G
=
3.9
T = 25
C
T = 125
C
20 40 60 80 100 120 140 160
Collector Current, I [A]
C
Fig 11. Turn-On Characteristics vs.
Collector Current
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
1000
Common Emitter
V = 300V, V = ± 15V
CC GE
IC = 80A
T = 25
C
TC = 125
100
Ton
Tr
20
1
10
Gate Resistance, RG []
Fig 8. Turn-On Characteristics vs.
Gate Resistance
80
10000
Common Emitter
VCC = 300V, VGE = ± 15V
IC = 80A
TC = 25
TC = 125
Eon
Eoff
Eoff
1000
1
10
Gate Resistance, RG []
80
Fig 10. Switching Loss vs. Gate Resistance
1000
Common Emitter
V = 300V, V = ± 15V
CC GE
RG = 3.9
TC = 25
TC = 125
Toff
Toff
100
Tf
Tf
20
20 40 60 80 100 120 140 160
Collector Current, IC [A]
Fig 12. Turn-Off Characteristics vs.
Collector Current
SGL160N60UFD Rev. B1

4페이지










160N60UFD 전자부품, 판매, 대치품
Package Dimension
TO-264
20.00 ±0.20
(8.30)
(8.30)
(1.00)
(2.00)
(R1.00)
(7.00) (7.00)
(0.50)
4.90 ±0.20
(1.50)
2.50 ±0.20
5.45TYP
[5.45 ±0.30]
(1.50)
3.00 ±0.20
1.00
+0.25
–0.10
5.45TYP
[5.45 ±0.30]
(1.50)
0.60
+0.25
–0.10
2.80 ±0.30
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Dimensions in Millimeters
SGL160N60UFD Rev. B1

7페이지


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