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A1SHB 데이터시트 PDF




H&M Semiconductor에서 제조한 전자 부품 A1SHB은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 A1SHB 자료 제공

부품번호 A1SHB 기능
기능 P-Channel Trench Power MOSFET
제조업체 H&M Semiconductor
로고 H&M Semiconductor 로고


A1SHB 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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A1SHB 데이터시트, 핀배열, 회로
P-Channel Trench Power MOSFET
General Description
The HM2301B uses advanced trench technology to provide
excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate
voltages as low as -2.5V. This device is suitable for use as a
battery protection or in other switching application.
HM2301B
Features
VDS = -20V,ID =-2.5A
RDS(ON) < 160mΩ @ VGS =-4.5V
RDS(ON) < 230mΩ @ VGS =-2.5V
High Power and current handing capability
Lead free product is acquired
Surface Mount Package
Application
Battery protection
Load switch
Power management
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Device Package
A1SHB
HM2301B
SOT-23
Reel Size
Ø180mm
Table 1. Absolute Maximum Ratings (TA=25)
Symbol
Parameter
VDS Drain-Source Voltage (VGS=0V
VGS Gate-Source Voltage (VDS=0V)
ID
IDM (pluse)
Drain Current-Continuous
Drain Current-Continuous@ Current-Pulsed (Note 1)
PD Maximum Power Dissipation
TJ,TSTG
Operating Junction and Storage Temperature Range
Notes 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature
Table 2. Thermal Characteristic
Symbol
Parameter
RJA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Schematic Diagram
SOT-23 top view
Tape width
8mm
Quantity
3000units
Value
-20
±12
-2.5
-10
1
-55 To 150
Unit
V
V
A
A
W
Value
125
Unit
/W
-1-




A1SHB pdf, 반도체, 판매, 대치품
Figure5. Capacitance
HM2301B
Figure6. RDS(ON) vs Junction Temperature
Figure7. Max BVDSS vs Junction Temperature
Figure8. VGS(th) vs Junction Temperature
Figure9. Gate Charge Waveforms
Figure10. Maximum Safe Operating Area
-4-

4페이지












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