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부품번호 | A1SHB 기능 |
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기능 | P-Channel Enhancement mode Field Effect Transistor | ||
제조업체 | SLS SEMICONDUCTOR | ||
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전체 2 페이지수
SLS SEMICONDUCTOR (SHENZHEN) CO.,LTD.
SOT-23 封装半导体场效应管/SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS
SLS 2301 (P-Channel Enhancement mode)
印章/MARKING:A1SHB
特点/Features:
1、 开关速度快;
2、 导通电阻低;
用途/Applications:
用于一般开关和低压电源电路。
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数/Parameter
漏极-源极电压/Drain-Source Voltage
栅极-源极电压/Gate-Source Voltage
漏极电流(持续)/Continuous Drain Current
漏极电流(脉冲)/Pulsed Drain Current
耗散功率/Power Dissipation
热阻/ Thermal Resistance Junction to Ambient
结温/Junction Temperature
储存温度/Storage Temperature
符号/ Symbol
VDS
VGS
ID
IDM
PD
RθJA
Tj
Tstg
数值/Value
-20
±8
-2.3
-10
0.35
350
150
-55~150
单位/Unit
V
V
A
A
W
℃/mW
℃
℃
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구 성 | 총 2 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
A1SHB | P-Channel Power MOSFE | TOPSKY |
A1SHB | P-Channel 20-V(D-S) MOSFET | YANGJING |
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