D1716 - NPN Transistor

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D1716 기능

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NPN Transistor - 2SD1716

제조업체

Inchange Semiconductor

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INCHANGE Semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor

isc Product Specification

2SD1716

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 160V(Min.)

·Good Linearity of hFE

·Wide Area of Safe Operation

·Complement to Type 2SB1161

APPLICATIONS

·Designed for high power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)

SYMBOL

PARAMETER

VALUE

UNIT

VCBO

Collector-Base Voltage

160 V

VCEO

Collector-Emitter Voltage

160 V

VEBO

Emitter-Base Voltage

IC Collector Current-Continuous

12 A

ICP Collector Current-Pulse

Collector Power Dissipation

@ TC=25℃

Collector Power Dissipation

@ Ta=25℃

TJ Junction Temperature

20 A

120

150 ℃

Tstg Storage Temperature Range

-55~150

℃

isc website：www.iscsemi.cn

구 성

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[ D1716.PDF 데이터시트 ]

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상호 : 아이지 인터내셔날

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부품번호	상세설명 및 기능	제조사
D171	D171-Type FastLight PIN Photodetectors	Agere Systems
D1710	800V, 5A, NPN Transistor	SavantIC

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특징 및 기능

PDF 형식의 D1716 자료 제공

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