SVF2N60FG - 600V N-CHANNEL MOSFET

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SVF2N60FG 기능

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600V N-CHANNEL MOSFET

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SVF2N60M/MG/MJ/N/NF/F/FG/T/D_Datasheet

2A, 600V N-CHANNEL MOSFET

GENERAL DESCRIPTION

SVF2N60M/MG/MJ/N/NF/F/FG/T/D is an N-channel

enhancement mode power MOS field effect transistor which is

produced using Silan proprietary F-CellTM structure VDMOS

technology. The improved planar stripe cell and the improved

guard ring terminal have been especially tailored to minimize on-

state resistance, provide superior switching performance, and

withstand high energy pulse in the avalanche and commutation

mode.

These devices are widely used in AC-DC power suppliers, DC-

DC converters and H-bridge PWM motor drivers.

FEATURES

∗ 2A,600V,RDS(on)(typ.)=3.7Ω@VGS=10V

∗ Low gate charge

∗ Low Crss

∗ Fast switching

∗ Improved dv/dt capability

NOMENCLATURE

ORDERING INFORMATION

Part No.

SVF2N60M

SVF2N60MG

SVF2N60MJ

SVF2N60N

SVF2N60NF

SVF2N60F

SVF2N60FG

SVF2N60T

Package Type

TO-251D-3L

TO-251J-3L

TO-126-3L

TO-126F-3L

TO-220F-3L

TO-220-3L

Marking

SVF2N60M

SVF2N60MG

SVF2N60MJ

SVF2N60N

SVF2N60NF

SVF2N60F

SVF2N60FG

SVF2N60T

HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD

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Material

Pb free

Halogen free

Pb free

Halogen free

Pb free

Packing

Tube

Bulk

Tube

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2013.02.05

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Silan

Microelectronics SVF2N60M/MG/MJ/N/NF/F/FG/T/D_Datasheet

SOURCE-DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS

Characteristics

Symbol

Test conditions

Continuous Source Current

Pulsed Source Current

IS Integral Reverse P-N

Junction Diode in the

ISM

MOSFET

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

Notes:

VSD IS=2.0A,VGS=0V

Trr IS=2.0A,VGS=0V,

Qrr dIF/dt=100A/µS

1. L=30mH, IAS=2.52, VDD=145V, RG=25Ω, starting TJ=25°C;

2. Pulse Test: Pulse width ≤300μs,Duty cycle≤2%;

3. Essentially independent of operating temperature.

Min.

Typ.

Max.

2.0

8.0

Unit

356.75

1.03

1.4

µC

TYPICAL CHARACTERISTICS

Figure 1. On-Region Characteristics

Variable

VGS=4.5V

VGS=5V

VGS=5.5V

VGS=6V

VGS=7V

VGS=8V

1 VGS=10V

VGS=15V

Figure 2. Transfer Characteristics

-55°C

25°C

150°C

0.1

Notes:

1.250µS pulse test

2.TC=25°C

1 10 100

Drain-Source Voltage – VDS(V)

Figure 3. On-Resitance Variation vs.

Drain Current and Gate Voltage

7 VGS=10V

VGS=20V

1 Note: TJ=25°C

0 1 2 345

Drain Current – ID(A)

Notes:

1.250µS pulse test

2.VDS=50V

0.1

0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

Gate-Source Voltage– VGS(V)

Figure 4. Body Diode Forward Voltage

Variation vs. Source Current and Temperature

-55°C

25°C

150°C

Notes:

1.250µS pulse test

2.VGS=0V

0.1

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Source-Drain Voltage– VSD(V)

1.2

HANGZHOU SILAN MICROELECTRONICS CO.,LTD

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Silan

Microelectronics SVF2N60M/MG/MJ/N/NF/F/FG/T/D_Datasheet

TYPICAL TEST CIRCUIT

Gate Charge Test Circuit & Waveform

Same Type

VGS

50KΩ

as DUT

10V

VDS

12V 200nF

300nF

Qgs Qgd

VGS

DUT

3mA

Charge

10V

VDS

VGS

Resistive Switching Test Circuit & Waveform

DUT

VDD

VDS

90%

10%

VGS

td(on)

ton

td(off)

toff

10V

Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveform

VDS

BVDSS

IAS

EAS =

LIAS2

BVDSS

BVDSS - VDD

DUT

VDD

ID(t)

VDS(t)

Time

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특징 및 기능

PDF 형식의 SVF2N60FG 자료 제공

관련 데이터시트

사이트 맺음말

부품번호	상세설명 및 기능	제조사
SVF2N60F	600V N-CHANNEL MOSFET	SL
SVF2N60FG	600V N-CHANNEL MOSFET	SL