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Número de pieza | SVF18N60T | |
Descripción | 600V N-CHANNEL MOSFET | |
Fabricantes | Silan Microelectronics | |
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No Preview Available ! SVF18N60F/T 说明书
18A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF18N60F/T N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管
采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进
的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、
优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换
器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 18A,600V,RDS(on)(典型值)=0.36Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产品名称
SVF18N60F
SVF18N60T
封装形式
TO-220F-3L
TO-220-3L
打印名称
SVF18N60F
SVF18N60T
材料
无卤
无铅
包装
料管
料管
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
版本号:1.3 2014.05.28
共8页 第1页
1 page 士兰微电子
典型特性曲线(续)
图7. 击穿电压vs.温度特性
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100 -50
注:
1. VGS=0V
2. ID=250µA
0 50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-1. 最大安全工作区域(SVF18N60F)
102
100µs
1ms
101
10ms
100
DC
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
10-2
100
注:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.单个脉冲
101 102
漏源电压 - VDS(V)
103
图10. 最大漏极电流vs. 壳温
20
16
12
8
4
0
25 50 75 100 125 150
壳温 – TC(°C)
杭州士兰微电子股份有限公司
Http://www.silan.com.cn
SVF18N60F/T 说明书
图8. 导通电阻vs.温度特性
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100 -50
注:
1. VGS=10V
2. ID=9.0A
0 50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-2. 最大安全工作区域(SVF18N60T)
102
100µs
1ms
101 10ms
DC
100
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
10-2
100
注:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.单个脉冲
101 102
漏源电压 - VDS(V)
103
版本号:1.3 2014.05.28
共8页 第5页
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Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SVF18N60F | 600V N-CHANNEL MOSFET | Silan Microelectronics |
SVF18N60T | 600V N-CHANNEL MOSFET | Silan Microelectronics |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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