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부품번호 | BC847S 기능 |
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기능 | DUAL TRANSISTOR | ||
제조업체 | JCET | ||
로고 | |||
전체 3 페이지수
JC(T
JIANGS U CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors
BC847S DUAL TRANSISTOR (NPN+NPN)
APPLICATION
This device is designed for general purpose amplifier applications
Marking :1C
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
VCBO
Collector-Base Voltage
50
VCEO
Collector-Emitter Voltage
45
VEBO
Emitter-Base Voltage
6
IC Collector Current-Continuous
PD Power Dissipation
00
200
RθJA Thermal Resistance. Junction to Ambient
625
Tj Junction Temperature
150
Tstg Storage Temperature Range
-55~+150
Unit
V
mA
mW
℃/W
℃
SOT-363
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol Test conditions
Collector-base breakdown voltage
V(BR)CBO IC=10µA,IE=0
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CEO IC=1mA,IB=0
Emitter-base breakdown voltage
V(BR)EBO IE=10µA,IC=0
Collector cut-off current
ICBO VCB=30V,IE=0
Emitter cut-off current
IEBO
VEB =4V, IC=0
DC current gain*
hFE VCE=5V,IC=2mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)(1) IC=10mA,IB=0.5mA
VCE(sat)(2) IC=100mA,IB=5mA
Base-emitter voltage
VBE(1)
VBE(2)
VCE=5V,IC=2mA
VCE=5V,IC=10mA
Transition frequency
fT VCE=5V,IC=20mA ,f=100MHz
Collector output capacitance
Cob
*pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤ 2.0%.
VCB=10V,IE=0,f=1MHz
Min Typ Max Unit
50 V
45 V
6V
15
nA
15
110 630
0.25 V
0.65 V
0.58 0.7 V
0.77 V
200 MHz
2 pF
www.cj-elec.com
1
F,Mar,2016
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
BC847 | Silicon NPN transistor | BLUE ROCKET ELECTRONICS |
BC847 | SMALL SIGNAL NPN TRANSISTORS | STMicroelectronics |
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