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D882M 데이터시트 PDF




SHENZHENPENGAI에서 제조한 전자 부품 D882M은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 D882M 자료 제공

부품번호 D882M 기능
기능 NPN Transistor
제조업체 SHENZHENPENGAI
로고 SHENZHENPENGAI 로고


D882M 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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D882M 데이터시트, 핀배열, 회로
深圳市鹏爱半导体有限公司
SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
D882M
主要用途:
高频放大电路、应急灯、电动玩具控制电路。
主要特点:
硅外延平面工艺、输出特性好、电流容量大。
封装形式:
TO-126
TEL:0755-27656829
FAX:0755-23443106
NPN
极限值TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高工作温度
贮存温度
电特性TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-发射极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
特征频率
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Icm
Pcm
Tj
Tstg
额定值
40
30
6
3
35
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Ice0
Icb0
Ieb0
Hfe
Vcesat
fT
测试条件
IC=1mA IB=0
Ic=1mA IE=0
IE=1mA IC=0
Vce=30V IB=0
Vcb=40V IE=0
Veb=7V Ic=0
Vce=2V Ic=1A
Ic=2A Ib=0.2A
Vce=5V Ic=0.1A
f=10MHz
额定值
最小值
最大值
30
40
6
20
10
10
100 400
0.6
50
单位
V
V
V
uA
uA
uA
MHZ
Http://www.paisemi.com
1





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