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부품번호 | D882M 기능 |
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기능 | NPN Transistor | ||
제조업체 | SHENZHENPENGAI | ||
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전체 3 페이지수
深圳市鹏爱半导体有限公司
SHENZHENPENGAI SEMICONDUCTOR CO.LTD
D882M
主要用途:
高频放大电路、应急灯、电动玩具控制电路。
主要特点:
硅外延平面工艺、输出特性好、电流容量大。
封装形式:
TO-126
TEL:0755-27656829
FAX:0755-23443106
NPN
极限值(TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
最大集电极直流电流
最大耗散功率
最高工作温度
贮存温度
电特性(TC=25℃)
参数名称
集电极-发射极击穿电压
集电极-基极击穿电压
发射极-基极击穿电压
集电极-发射极反向漏电流
集电极-发射极反向漏电流
发射极-基极反向漏电流
共发射极直流电流增益
集电极-发射极饱和压降
特征频率
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Icm
Pcm
Tj
Tstg
额定值
≥40
≥30
≥6
3
35
150
-55~150
单位
V
V
V
A
W
℃
℃
符号
BVce0
BVcb0
BVeb0
Ice0
Icb0
Ieb0
Hfe
Vcesat
fT
测试条件
IC=1mA IB=0
Ic=1mA IE=0
IE=1mA IC=0
Vce=30V IB=0
Vcb=40V IE=0
Veb=7V Ic=0
Vce=2V Ic=1A
Ic=2A Ib=0.2A
Vce=5V Ic=0.1A
f=10MHz
额定值
最小值
最大值
30
40
6
20
10
10
100 400
0.6
50
单位
V
V
V
uA
uA
uA
MHZ
Http://www.paisemi.com
1
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
D882 | TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors | ETC |
D882 | Si NPN Transistor | Wuxi Youda Electronics |
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