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FDT3N40 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDT3N40은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDT3N40 자료 제공

부품번호 FDT3N40 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDT3N40 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDT3N40 데이터시트, 핀배열, 회로
FDT3N40
N-Channel UniFETTM MOSFET
400 V, 2.0 A, 3.4
Features
• RDS(on) = 3.4 (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 1.0 A
• Low Gate Charge (Typ. 4.5 nC)
Low Crss (Typ. 3.7 pF)
• 100% Avalanche Tested
Applications
• LCD/LED TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supply
April 2013
Description
UniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductor®’s high voltage
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to
provide better switching performance and higher avalanche
energy strength. This device family is suitable for switching
power converter applications such as power factor correction
(PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic
lamp ballasts.
D
S
G SOT-223
Absolute Maximum Ratings
Symbol
Parameter
VDSS
ID
IDM
VGSS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
Drain-Source Voltage
Drain Current
Drain Current
- Continuous (TC = 25C)
- Continuous (TC = 100C)
- Pulsed
Gate-Source voltage
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 1)
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
PD Power Dissipation (TC = 25C)
- Derate above 25C
TJ, TSTG
Operating and Storage Temperature Range
TL Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
* Drain current limited by maximum junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
RJA *
Thermal Resistance, Case-to-Sink Typ.
* Surface Mounted on JESD51-3 Board, T<0.1sec.
FDT3N40
400
2.0 *
1.2 *
8.0 *
30
46
2
0.2
4.5
2
0.02
-55 to +150
300
FDT3N40
60
Unit
V
A
A
A
V
mJ
A
mJ
V/ns
W
W/C
C
C
Unit
C/W
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT3N40 Rev. C0
1
www.fairchildsemi.com




FDT3N40 pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
-100
* Notes :
1. VGS = 0 V
2. ID = 250A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
* Notes :
1. VGS = 10 V
2. ID = 1 A
-50 0 50 100 150
TJ, Junction Temperature [oC]
200
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
Operation in This Area
101
is Limited by R
DS(on)
100
10 s
100 s
1 ms
10 ms
100 ms
10-1
* Notes :
1. T = 25 oC
C
2. T = 150 oC
J
3. Single Pulse
10-2
100
DC
101 102
V , Drain-Source Voltage [V]
DS
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25 50 75 100 125
T , Case Temperature [oC]
C
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
150
102
D =0.5
101 0.2
0.1
0.05
0.02
100 0.01
PDM
t1
t2
1 0 -1
1 0 -2
1 0 -5
single pulse
* N otes :
1. Z (t) = 60 oC /W M ax.
JA
2. D uty Factor, D =t /t
12
3. T - T = P * Z (t)
JM C
DM JC
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
101
102
t , S quare W ave P ulse D uration [sec]
1
103
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT3N40 Rev. C0
4
www.fairchildsemi.com

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FDT3N40 전자부품, 판매, 대치품
Mechanical Dimensions
SOT-223
©2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDT3N40 Rev. C0
7
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