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FDMS015N04B 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDMS015N04B은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FDMS015N04B 자료 제공

부품번호 FDMS015N04B 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDMS015N04B 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDMS015N04B 데이터시트, 핀배열, 회로
FDMS015N04B
N-Channel PowerTrench® MOSFET
40 V, 100 A, 1.5 mΩ
November 2013
Features
• RDS(on) = 1.13 mΩ (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 50 A
Advanced Package
and High Efficiency
and
Silicon
Combination
for
Low
RDS(on)
• Fast Switching Speed
• 100% UIL Tested
• RoHS Compliant
Description
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild
Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has
been tailored to minimize the on-state resistance while main-
taining superior switching performance.
Applications
• Synchronous Rectification for ATX / Server
• Battery Protection Circuit
• Motor Drives and Uninterruptible Power Supplies
Top Bottom
Pin 1
SS
S
G
D
DDD
Power 56
D5
D6
D7
D8
4G
3S
2S
1S
MOSFET Maximum Ratings TC = 25oC unless otherwise noted.
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDM
EAS
PD
TJ, TSTG
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current
Drain Current
- Continuous (TC = 25oC)
- Continuous (TA = 25oC)
- Pulsed
Single Pulsed Avalanche Energy
Power Dissipation
(TC = 25oC)
(TA = 25oC)
Operating and Storage Temperature Range
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case, Max.
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Max.
(Note 1a)
(Note 2)
(Note 3)
(Note 1a)
FDMS015N04B
40
±20
100
31.3
400
526
104
2.5
-55 to +150
Unit
V
V
A
A
mJ
W
W
oC
(Note 1a)
FDMS015N04B
1.2
50
Unit
oC/W
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS015N04B Rev. C3
1
www.fairchildsemi.com




FDMS015N04B pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.12
1.08
1.04
1.00
0.96
0.92
-80
*Notes:
1. VGS = 0V
2. ID = 250μA
-40
TJ,
0
Junction
40 80
Temperature
[oC1]20
160
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
100
10
1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
1ms
10ms
100ms
DC
*Notes:
0.1 1. TC = 25oC
2. TJ = 150oC
3. Single Pulse
0.01
0.01
0.1
1
10
VDS, Drain-Source Voltage [V]
100
Figure 11. Eoss vs. Drain to Source Voltage
2.0
1.5
1.0
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
1.7
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-80
*Notes:
1. VGS = 10V
2. ID = 50A
-40 0
40 80 120
TJ, Junction Temperature [oC]
160
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
120
VGS= 10V
80
40
RθJC= 1.2oC/W
0
25 50 75 100 125
TC, Case Temperature [oC]
150
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
50
If R = 0
tAV = (L)(IAS)/(1.3*RATED BVDSS-VDD)
If R = 0
tAV = (L/R)In[(IAS*R)/(1.3*RATED BVDSS-VDD)+1]
10 STARTING TJ = 25oC
0.5 STARTING TJ = 125oC
0
0 10 20 30 40
VDS, Drain to Source Voltage [V]
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS015N04B Rev. C3
4
1
0.1 1 10 100 1000
tAV, Time In Avalanche [ms]
www.fairchildsemi.com

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FDMS015N04B 전자부품, 판매, 대치품
Figure 17. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
I SD
Driver
RG
VGS
+
VDS
_
L
Same Type
as DUT
• dv/dt controlled by RG
• ISD controlled by pulse period
VDD
VGS
( Driver )
I SD
( DUT )
VDS
( DUT )
D = --GG--aa--tt-ee--PP--u-u-ll-ss-ee---WP--e-i-dr-ito-h-d-
10V
IFM , Body Diode Forward Current
di/dt
IRM
Body Diode Reverse Current
Body Diode Recovery dv/dt
VSD
Body Diode
Forward Voltage Drop
VDD
©2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS015N04B Rev. C3
7
www.fairchildsemi.com

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