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FDG327NZ 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FDG327NZ은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 FDG327NZ 자료 제공

부품번호 FDG327NZ 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FDG327NZ 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FDG327NZ 데이터시트, 핀배열, 회로
October 2015
FDG327NZ
20V N-Channel PowerTrench® MOSFET
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed
specifically to improve the overall efficiency of DC/DC
converters using either synchronous or conventional
switching PWM controllers. It has been optimized use
in small switching regulators, providing an extremely
low RDS(ON) and gate charge (QG) in a small package.
Applications
DC/DC converter
Power management
Load switch
Features
1.5 A, 20 V.
RDS(ON) = 90 m@ VGS = 4.5 V.
RDS(ON) = 100 m@ VGS = 2.5 V
RDS(ON) = 140 m@ VGS = 1.8 V
Fast switching speed
Low gate charge
High performance trench technology for extremely
low RDS(ON)
High power and current handling capability.
S
D
D
Pin 1
SC70-6
G
D
D
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current – Continuous
– Pulsed
(Note 1a)
PD
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
TJ, TSTG
Operating and Storage Junction Temperature Range
Thermal Characteristics
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
Device
Reel Size
.37
FDG327NZ
7’’
Ratings
20
±8
1.5
6
0.42
0.38
–55 to +150
300
333
Tape width
8mm
Units
V
A
W
°C
°C/W
Quantity
3000 units
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG327NZ Rev 1.2 (W)




FDG327NZ pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Characteristics
5
ID = 1.5A
4
3
VDS = 5V
15V
10V
2
1
0
012345
Qg, GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
RDS(ON) LIMIT
100µs
1ms
10ms
1 100ms
1s
10s
DC
0.1 VGS = 4.5V
SINGLE PULSE
RθJA = 333oC/W
TA = 25oC
0.01
0.1 1 10
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
600
f = 1 MHz
VGS = 0 V
500
CISS
400
300
200
100
CRSS
0
0
COSS
5 10 15
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
20
Figure 8. Capacitance Characteristics.
20
SINGLE PULSE
RθJA = 333°C/W
TA = 25°C
15
10
5
0
0.0001 0.001 0.01
0.1
1
10 100 1000
t1, TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
t1, TIME (sec)
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA = 333oC/W
P(pk)
t1
t2
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
10 100 1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDG327NZ Rev 1.2 (W)

4페이지












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