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FGP5N60UFD 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FGP5N60UFD은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FGP5N60UFD 자료 제공

부품번호 FGP5N60UFD 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FGP5N60UFD 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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FGP5N60UFD 데이터시트, 핀배열, 회로
FGP5N60UFD
600V, 5A Field Stop IGBT
Features
• High current capability
• Low saturation voltage: VCE(sat) =1.9V @ IC = 5A
• High input impedance
• Fast switching
• RoHS compliant
Applications
• Induction Heating, UPS, SMPS, PFS
October 2008
tm
General Description
Using Novel Field Stop IGBT Technology, Fairchild’s new series
of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for Induction
Heating, UPS, SMPS, and PFC applications where low conduc-
tion and switching losses are essential.
C
1 TO-220
1.Gate 2.Collector 3.Emitter
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VCES
VGES
IC
ICM (1)
PD
TJ
Tstg
TL
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
@ TC = 25oC
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for soldering
Purposes, 1/8” from case for 5 seconds
Notes:
1: Repetitive rating: Pulse width limited by max. juntion temperature
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC(IGBT)
RθJC(Diode)
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
G
E
Ratings
600
± 20
10
5
15
81
32
-55 to +150
-55 to +150
300
Typ.
-
-
-
Max.
1.55
3.2
62.5
Units
V
V
A
A
A
W
W
oC
oC
oC
Units
oC/W
oC/W
oC/W
©2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP5N60UFD Rev. A
1
www.fairchildsemi.com




FGP5N60UFD pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
15
TC = 25oC
20V
15V
12V
10
10V
5
VGE = 8V
0
02468
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
15
Common Emitter
VGE = 15V
TC = 25oC
10 TC = 125oC
10
Figure 2. Typical Output Characteristics
15
TC = 125oC
20V
15V
12V
10
10V
5
VGE = 8V
0
02468
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
Figure 4. Transfer Characteristics
10
20
Common Emitter
VCE = 20V
10
TC = 25oC
TC = 125oC
5
0
01234
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
3.0
Common Emitter
VGE = 15V
2.5
10A
2.0
5A
1.5
IC = 2.5A
1.0
25 50 75 100 125
Collector-EmitterCase Temperature, TC [oC]
1
6 8 10 12
Gate-Emitter Voltage,VGE [V]
Figure 6. Saturation Voltage vs. VGE
20
Common Emitter
TC = -40oC
16
12
8
10A
4
5A
IC = 2.5A
0
0 4 8 12 16 20
Gate-Emitter Voltage, VGE [V]
FGP5N60UFD Rev. A
4
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4페이지










FGP5N60UFD 전자부품, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Forward Characteristist
15
10
TJ = 125oC
TJ = 25oC
1
TJ = 75oC
0.1
0
12
Forward Voltage, VF [V]
15
Figure 21. Reverse Recovery Current
2.5
2.0
200A/µs
1.5
1.0 di/dt = 100A/µs
0.5
0.0
2
468
Forward Current, IF [A]
Figure 23. Reverse Recovery Time
50
10
40
200A/µs
30
di/dt = 100A/µs
20
10
0
2 4 6 8 10
Forward Current, IF [A]
Figure 20. Reverse Current
100
TC = 125oC
10
1 TC = 75oC
0.1
0.01
0
TC = 25oC
200 400
Reverse Voltage, VR [V]
Figure 22. Stored Charge
50
40
30 200A/µs
20
di/dt = 100A/µs
10
0
2468
Forward Current, IF [A]
600
10
FGP5N60UFD Rev. A
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