Datasheet.kr   

FGP15N60UNDF 데이터시트 PDF




Fairchild Semiconductor에서 제조한 전자 부품 FGP15N60UNDF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 FGP15N60UNDF 자료 제공

부품번호 FGP15N60UNDF 기능
기능 IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )
제조업체 Fairchild Semiconductor
로고 Fairchild Semiconductor 로고


FGP15N60UNDF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




전체 10 페이지수

미리보기를 사용할 수 없습니다

FGP15N60UNDF 데이터시트, 핀배열, 회로
FGP15N60UNDF
600 V, 15 A
Short Circuit Rated IGBT
Features
• Short Circuit Rated 10us
• High Current Capability
• High Input Impedance
• Fast Switching
• RoHS Compliant
Applications
• Sewing Machine, CNC, Home Appliances, Motor Control
Stptember 2013
General Description
Using advanced NPT IGBT technology, Fairchild’s the NPT
IGBTs offer the optimum performance for low-power inverter-
driven applications where low-losses and short-circuit rugged-
ness features are essential, such as sewing machine, CNC,
motor control and home appliances.
C
GCE
TO-220
Absolute Maximum Ratings
Symbol
VCES
VGES
IC
ICM (1)
IF
PD
TJ
Tstg
Description
Collector to Emitter Voltage
Gate to Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Diode Forward Current
Diode Forward Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
@ TC = 25oC
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
@ TC = 25oC
@ TC = 100oC
Notes:
1: Repetitive test , Pulse width=100 usec , Duty=0.2, VGE=13.5 V
Thermal Characteristics
Symbol
RθJC(IGBT)
RθJC(Diode)
RθJA
Parameter
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient (PCB Mount)(2)
G
E
Ratings
600
± 20
30
15
45
15
7.5
178
71
-55 to +150
-55 to +150
Typ.
Max.
0.7
2.3
62.5
Unit
V
V
A
A
A
A
A
W
W
oC
oC
Unit
oC/W
oC/W
oC/W
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP15N60UNDF Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com




FGP15N60UNDF pdf, 반도체, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Typical Output Characteristics
80
TC = 25oC
70
20V 17V
15V
60
50 VGE =12V
40
30
20
10
0
0.0 1.5 3.0 4.5 6.0 7.5 9.0
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
Figure 2. Typical Output Characteristics
80
TC = 125oC
70
20V 17V
15V
60
50
40 VGE = 12V
30
20
10
0
0.0 1.5 3.0 4.5 6.0 7.5 9.0
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
Figure 3. Typical Saturation Voltage
Characteristics
80
70
Common Emitter
VGE = 15V
60 TC = 25oC
TC = 125oC
50
40
30
20
10
0
012345
Collector-Emitter Voltage, VCE [V]
6
Figure 4. Transfer Characteristics
80
Common Emitter
70 VCE = 20V
TC = 25oC
60 TC = 125oC
50
40
30
20
10
0
0 3 6 9 12
Gate-Emitter Voltage,VGE [V]
15
Figure 5. Saturation Voltage vs. Case
Temperature at Variant Current Level
4.5
Common Emitter
4.0 VGE = 15V
30A
3.5
3.0
2.5 15A
2.0
1.5 IC = 7.5A
1.0
25
50 75 100
Case Temperature, TC [oC]
125
Figure 6. Saturation Voltage vs. VGE
20
Common Emitter
TC = 25oC
16
12
8
15A
4 30A
IC = 7.5A
0
4 8 12 16
Gate-Emitter Voltage, VGE [V]
20
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP15N60UNDF Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com

4페이지










FGP15N60UNDF 전자부품, 판매, 대치품
Typical Performance Characteristics
Figure 19. Reverse Current
100
TJ = 125oC
10
1
0.1
0.01
TJ = 75oC
TJ = 25oC
1E-3
50
200 400
Reverse Voltage, VR [V]
600
Figure 21. Reverse Recovery Time
200
TC = 25oC
TC = 125oC
diF/dt = 100A/μs
150 200A/μs
100 diF/dt = 100A/μs
200A/μs
50
Figure 20. Stored Charge
0.7
TC = 25oC
0.6 TC = 125oC
0.5
200A/μs
0.4
0.3 diF/dt = 100A/μs
0.2 200A/μs
0.1 diF/dt = 100A/μs
0.0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Forward Current, IF [A]
0
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
Forward Current, IF [A]
Figure 22.Transient Thermal Impedance of IGBT
1
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
0.01
1E-5
1E-4
PDM
t1
t2
Duty Factor, D = t1/t2
Peak Tj = Pdm x Zthjc + TC
1E-3
0.01
0.1
Rectangular Pulse Duration [sec]
1
10
©2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FGP15N60UNDF Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com

7페이지


구       성 총 10 페이지수
다운로드[ FGP15N60UNDF.PDF 데이터시트 ]

당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는

포괄적인 데이터시트를 제공합니다.


구매 문의
일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매
-----------------------------------------------------------------------

IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한
광범위한 전력 반도체를 판매합니다.

전력 반도체 전문업체

상호 : 아이지 인터내셔날

사이트 방문 :     [ 홈페이지 ]     [ 블로그 1 ]     [ 블로그 2 ]



관련 데이터시트

부품번호상세설명 및 기능제조사
FGP15N60UNDF

IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )

Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor

DataSheet.kr       |      2020   |     연락처      |     링크모음      |      검색     |      사이트맵