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175BGQ030J 데이터시트 PDF




International Rectifier에서 제조한 전자 부품 175BGQ030J은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 175BGQ030J 자료 제공

부품번호 175BGQ030J 기능
기능 Schottky Rectifier ( Diode )
제조업체 International Rectifier
로고 International Rectifier 로고


175BGQ030J 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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175BGQ030J 데이터시트, 핀배열, 회로
SCHOTTKY RECTIFIER
Bulletin PD-20997 rev. E 12/02
175BGQ030
175BGQ030J
175 Amp
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
175BGQ030 Units
IF(AV) Rectangular waveform
@ TC
IDC Maximum
VRRM
IFSM @ tp = 5 µs sine
VF @175Apk typical
@TJ
TJ range
175
115
248
30
8000
0.45
150
-55 to 150
A
°C
A
V
A
V
°C
°C
Description/ Features
The 175BGQ030 Schottky rectifier has been optimized for ultra low
forward voltage drop specifically for low voltage output in high
current AC/DC power supplies.
The proprietary barrier technology allows for reliable operation up
to 150°C junction temperature. Typical applications are in
switching power supplies, converters, reverse battery protection,
and redundant power subsystems.
150°C TJ operation
High Frequency Operation
Ultra low forward voltage drop
Continuous High Current operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
reliability
PowIRtabTM package
175BGQ030
Case Styles
175BGQ030J
www.irf.com
1




175BGQ030J pdf, 반도체, 판매, 대치품
175BGQ030, 175BGQ030J
Bulletin PD-20997 rev. E 12/02
150
140
DC
130
120
110 Square wave (D = 0.50)
80% Rated VR applied
100
90
see note (2)
80
0 40 80
120 160 200 240 280
Average Forward Current - I F(AV) (A)
Fig.5-Maximum Allowable Case Temperature
Vs. Average Forward Current
10000
180
D = 0.20
160 D = 0.25
140
D = 0.33
D = 0.50
120 D = 0.75
100 RMS Limit
80
DC
60
40
20
0
0 50 100 150 200 250
Average Forward Current - I F(AV) (A)
Fig.6-Forward Power Loss Characteristics
At Any Rated Load Condition
And With Rated VRRM Applied
Following Surge
DUT
CURRENT
MONITOR
1000
10
100
1000
10000
Square Wave Pulse Duration - t p (microsec)
Fig.7-Maximum Non-Repetitive Surge Current
L
IRFP460
Rg = 25 ohm
HIGH-SPEED
SWITCH
FREE-WHEEL
DIODE
40HFL40S02
+ Vd = 25 Volt
Fig. 8 - Unclamped Inductive Test Circuit
(3) Formula used: TC = TJ - (Pd + PdREV) x RthJC ;
Pd = Forward Power Loss = IF(AV) x VFM @ (IF(AV) / D) (see Fig. 6);
PdREV = Inverse Power Loss = VR1 x IR (1 - D); IR @ VR1 = 80% rated VR
4
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175BGQ030J 전자부품, 판매, 대치품
175BGQ030, 175BGQ030J
Bulletin PD-20997 rev. E 12/02
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for Industrial Level.
Qualification Standards can be found on IR's Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7309
Visit us at www.irf.com for sales contact information. 12/02
www.irf.com
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