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TC55416P-45 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 TC55416P-45은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 TC55416P-45 자료 제공

부품번호 TC55416P-45 기능
기능 CMOS STATIC RAM
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


TC55416P-45 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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TC55416P-45 데이터시트, 핀배열, 회로
TOSHIBA MOS MEMORY PRODUCT
16,384 WORD X 4 BIT CMOS STATIC RAM
SILICON GATE CMOS
TC55416P-35
TC55416P-45
DESCRIPTION
The TC55416P is a 65,536 bit high speed static random access memory organized as 16,384 words by 4 bits
using CMOS technology, and operated from a single 5-volt supply. Toshiba's high performance device technology
provides both high speed and low power features with a maximum access time of 35ns/45ns and maximum
operating current of 80mA/60mA at minimum cycle time.
The TC55416P also features an automatic stand-by mode. When deselected by Chip Enable (CE), the operating
current is reduced to lOrnA.
The TC55416P is suitable for use in cache memory and high speed storage, where high speed/high density are
required.
The TC55416P is molded in a 22 pin standard plastic package with 0.3 inch width for high density assembly.
The TC55416P is fabricated with ion implanted CMOS silicon gate MOS technology for high performance and
high reliability.
I'FEATURES
Fast access time
TC554l6P-35 35ns (Max.)
TC554l6P-45 45nS (Max.)
Low power dissipation Operation TC554l6P-35 80mA (Max.)
TC554l6P-45 60mA (Max.)
Standby
lOrnA (Max.)
. 5V single power supply
. Fully static operation
Directly TTL compatible All Input and Output
Package
22 pins standard plastic package, 300 mil width.
I'PIN CONNECTION
I'BLOCK DIAGRAM
A5
AO
CE
GND
(300mll DIP)
vDD
Ag
AIO
All
AJ2
A13
I/Ol
I/02
I/03
I/O 4.
WE
IIPIN NAMES
• Ao-A13
1/01-1/04
CE
WE
Von
GND
Address Inputs
Data Input/Output
Chip Enable Input
Write Enable Input
Power (+5V)
Ground
CE
A6
A7
AS
A9
A10
All
A12
A13
I/Ol
I/02
I/03
I/04
----OVDD
----oOND
CE~~~~~~~~~~~~~
WE
- C-69 -




TC55416P-45 pdf, 반도체, 판매, 대치품
TC:J:J41Ii P"3:J
TC55416P-45
TIMING WAVEFORMS
READ CYCLE(l)
ADDRESS
DOUT
WRITE CYCLE 1 (WE Controlled Write)
ADDRESS
twc
tcw
DOUT
DIN
WRITE CYCLE 2 (CE Controlled Write)
ADDRESS
HIGH IllPEDANCE
tDS
_~_D_A_T_A _I_N________~,_________
twc
tcw
DoUT
HIGH
Note: 1. WE is High for Read Cycle.
2. Assuming that CE Low transition occurs coincident with or after WE
Low transition, Outputs remain in a high impedance state.
3 •. Assuming that ~ High transition occurs coincident with or prior to WE
High transition, Outputs remain in a high impedance state.
4. The Operating temperature (Ta) is guaranteed with transverse air flow
exceeding 400 linear feet per minute.
- C-72 -

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