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부품번호 | 2N7000K 기능 |
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기능 | N Channel MOSFET | ||
제조업체 | KEC | ||
로고 | |||
전체 4 페이지수
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
INTERFACE AND SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
ESD Protected 2000V.
High density cell design for low RDS(ON).
Voltage controlled small signal switch.
Rugged and reliable.
High saturation current capablity.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Drain-Source Voltage
VDSS
Gate-Source Voltage
VGSS
Drain Current
Continuous
Pulsed (Note 1)
ID
IDP
Drain Power Dissipation
PD
Junction Temperature
Tj
Storage Temperature Range
Tstg
Note 1) Pulse Width 10 , Duty Cycle 1%
RATING
60
20
500
2000
625
150
-55 150
UNIT
V
V
mA
mW
2N7000K
N Channel MOSFET
ESD Protected 2000V
BC
KE
G
D
H
FF
1 23
N DIM MILLIMETERS
A 4.70 MAX
B 4.80 MAX
C 3.70 MAX
D 0.45
E 1.00
F 1.27
G 0.85
H 0.45
J 14.00+_ 0.50
K 0.55 MAX
L 2.30
M 0.45 MAX
N 1.00
1. SOURCE
2. GATE
3. DRAIN
TO-92
EQUIVALENT CIRCUIT
D
G
S
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 )
CHARACTERISTIC
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate-Body Leakage, Forward
Gate-Body Leakage, Reverse
SYMBOL
BVDSS
IDSS
IGSSF
IGSSR
TEST CONDITION
VGS=0V, ID=10 A
VDS=60V, VGS=0V
VGS=20V, VDS=0V
VGS=-20V, VDS=0V
MIN.
60
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
MAX.
-
1
10
-10
UNIT
V
A
A
A
2009. 11. 17
Revision No : 1
1/4
2N7000K
VGS - Q g
10 COMMON SOURCE
VDS=30V
8 ID=0.3A
Ta=25 C
6
4
2
0
0246 8
GATE CHARGE Q g (nC)
10
SOA
10
Tj=150 C , Ta=25 C ,Single Pulse
1
PW 10
0.1
0.01
0.001
PW =1ms
PW =10ms
PW =100ms
DC
0.0001
0.001 0.01
0.1
1
10
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)
100
1000
100
C - VDS
COMMON SOURCE
VGS =0V
f=1MHz
Ta=25 C
C iss
C oss
10
C rss
1
0 5 10 15 20
DRAIN-SOURCE VOLTAGE VDS (V)
25
700
600
500
400
300
200
100
0
0
P D - Ta
25 50 75 100 125 150 175
AMBIENT TEMPERATURE Ta ( C)
2009. 11. 17
Revision No : 1
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
2N7000 | 60V, 200mA, N-channel MOSFET | Motorola Inc |
2N7000 | 60V, 200mA, N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor | NXP Semiconductors |
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