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JCS9N50T 데이터시트 PDF




JILIN SINO-MICROELECTRONICS에서 제조한 전자 부품 JCS9N50T은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 JCS9N50T 자료 제공

부품번호 JCS9N50T 기능
기능 N-CHANNEL MOSFET
제조업체 JILIN SINO-MICROELECTRONICS
로고 JILIN SINO-MICROELECTRONICS 로고


JCS9N50T 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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JCS9N50T 데이터시트, 핀배열, 회로
N 沟道增强型场效应晶体管
R N-CHANNEL MOSFET
JCS9N50T
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID 9 A
VDSS 500 V
Rdson(@Vgs=10V) 0.75
Qg 29 nC
用途
z 高频开关电源
z 电子镇流器
z UPS 电源
APPLICATIONS
z High efficiency switch
mode power supplies
z Electronic lamp ballasts
based on half bridge
z UPS
产品特性
z低栅极电荷
zCrss (典型值 26pF)
z开关速度快
z产品全部经过雪崩测试
z高抗 dv/dt 能力
zRoHS 产品
FEATURES
zLow gate charge
zLow Crss (typical 26pF )
zFast switching
z100% avalanche tested
zImproved dv/dt capability
zRoHS product
订货信息 ORDER MESSAGE
订货型号
Order codes
印记
Marking
JCS9N50CT-O-C-N-B
JCS9N50FT-O-F-N-B
JCS9N50CT
JCS9N50FT
封装
Package
TO-220C
TO-220MF
无卤素
Halogen
Free
NO
NO
Packaging
条管 Tube
条管 Tube
器件重量
Device
Weight
2.15 g(typ)
2.20 g(typ)
版本:201010C
1/10




JCS9N50T pdf, 반도체, 판매, 대치품
R
电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
开关特性 Switching Characteristics
延迟时间 Turn-On delay time
上升时间 Turn-On rise time
延迟时间 Turn-Off delay time
下降时间 Turn-Off Fall time
栅极电荷总量 Total Gate Charge
栅-源电荷 Gate-Source charge
栅-漏电荷 Gate-Drain charge
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VDD=250V,ID=9A,RG=25
note 45
VDS =400V ,
ID=9A
VGS =10V note 45
JCS9N50T
- 64 83 ns
- 52 68 ns
- 101 135 ns
- 66 91 ns
- 29 38 nC
- 6.3 - nC
- 12 - nC
漏-源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
正向最大连续电流
Maximum Continuous Drain
-Source Diode Forward Current
IS - - 9 A
正向最大脉冲电流
Maximum Pulsed Drain-Source
Diode Forward Current
ISM - - 36 A
正向压降
Drain-Source Diode Forward
Voltage
VSD VGS=0V, IS=9A
- - 1.4 V
反向恢复时间
Reverse recovery time
trr VGS=0V, IS=9A
反向恢复电荷
Reverse recovery charge
Qrr dIF/dt=100A/μs
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC
(note 4)
- 341 - ns
- 2.97 - μC
项目
Parameter
符号
Symbol
最大
Max
JCS9N50CT
JCS9N50FT
单位
Unit
结到管壳的热阻
Thermal Resistance, Junction to Case
Rth(j-c)
0.79
2.6 /W
结到环境的热阻
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Rth(j-A)
62.5
62.5 /W
注释:
1:脉冲宽度由最高结温限制
2L=8.2mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25 ,起始结温
TJ=25
3ISD 9A,di/dt 200A/μs,VDDBVDSS,起始结温
TJ=25
4:脉冲测试:脉冲宽度300μs,占空比2
5:基本与工作温度无关
Notes:
1Pulse width limited by maximum junction
temperature
2L=8.2mH, IAS=9A, VDD=50V, RG=25 ,Starting
TJ=25
3ISD 9A,di/dt 200A/μs,VDDBVDSS, Starting
TJ=25
4Pulse TestPulse Width 300μs,Duty Cycle2
5Essentially independent of operating temperature
版本:201010C
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4페이지










JCS9N50T 전자부품, 판매, 대치품
R
特征曲线 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (curves)
JCS9N50T
1
0 .1
0 .0 1
Transient Thermal Response Curve
For JCS9N50CT
D = 0 .5
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
N o te s :
1 Z θ J C(t)= 0 .7 9 /W M a x
2 D u ty F a c to r, D = t1 /t2
3 T J M -T c = P D M * Z θ J C(t)
P DM
t1
t2
1 E -5
1 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
t1 S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
10
Transient Thermal Response Curve
For JCS9N50FT
D = 0 .5
1
0 .2
0 .1
0 .0 5
0 .1 0 .0 2
0 .0 1
N o te s :
1 Z θ J C(t)= 2 .6 /W M a x
2 D u ty F a c to r, D = t1 /t2
3 T J M -T c = P D M * Z θ J C(t)
0 .0 1
s in g le p u ls e
P DM
t1
t2
1 E -5
1 E -4
1 E -3
0 .0 1
0 .1
1
t1 S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
10
版本:201010C
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