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SNN5010D 데이터시트 PDF




KODENSHI KOREA에서 제조한 전자 부품 SNN5010D은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 SNN5010D 자료 제공

부품번호 SNN5010D 기능
기능 Advanced N-Ch Power MOSFET
제조업체 KODENSHI KOREA
로고 KODENSHI KOREA 로고


SNN5010D 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SNN5010D 데이터시트, 핀배열, 회로
SNN5010D
Advanced N-Ch Power MOSFET
DC/DC CONVERTER APPLICATIONS
Features
High Voltage : BVDSS=100V(Min.)
Low Crss : Crss=130pF(Typ.)
Low gate charge : Qg=75nC(Typ.)
Low RDS(ON) : RDS(ON)=26mΩ(Max.)
Ordering Information
Type No.
SNN5010D
Marking
SNN5010
Package Code
TO-252
PIN Connection
GS
D
G
TO-252
D
S
Marking Diagram
SNN
5010
YWW
Column 1,2 : Device Code
Column 3 : Production Information
e.g.) YWW
-. YWW : Date Code (year, week)
Absolute maximum ratings (TC=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC) *
Drain current (Pulsed) *
VDSS
VGSS
ID
(TC=25)
(TC=100)
IDM
Power dissipation
Avalanche current (Single)
Single pulsed avalanche energy
Avalanche current (Repetitive)
Repetitive avalanche energy
Junction temperature
Storage temperature range
PD
IAS
EAS
IAR
EAR
TJ
Tstg
* Limited by maximum junction temperature
Rating
100
±20
50
31
150
65
25
173
50
6.5
150
-55~150
Characteristic
Thermal
resistance*
Junction-case
Junction-ambient
Symbol
Rth(J-C)
Rth(J-A)
Typ.
-
-
Max.
1.92
62.5
KSD-T6O016-001
Unit
V
V
A
A
W
A
mJ
A
mJ
°C
Unit
/W
1




SNN5010D pdf, 반도체, 판매, 대치품
Electrical Characteristic Curves
Fig. 7 VDSS - TJ
SNN5010D
Fig.8 Safe Operating Area
Fig. 9 ID - TC
CC
Fig.10 Safe Operating Area
C
KSD-T6O016-001
4

4페이지










SNN5010D 전자부품, 판매, 대치품
Outline Dimension
SNN5010D
unit : mm
Recommended Land Pattern [unit: mm]
7.00
1.50
4.60
KSD-T6O016-001
7

7페이지


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다운로드[ SNN5010D.PDF 데이터시트 ]

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