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부품번호 | SMK0160IS 기능 |
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기능 | Advanced N-Ch Power MOSFET | ||
제조업체 | KODENSHI KOREA | ||
로고 | |||
SMK0160IS
Advanced N-Ch Power MOSFET
SWITCHING REGULATOR APPLICATION
Features
• Drain-Source breakdown voltage: BVDSS=600V (Min.)
• Low gate charge: Qg=3.9nC (Typ.)
• Low drain-source On resistance: RDS(on)=11.5Ω (Max.)
• 100% avalanche tested
• RoHS compliant device
Ordering Information
Part Number
SMK0160IS
Marking
SMK0160
Package
I-PAK
(Short Lead)
GDS
I-PAK
Marking Information
SMK
0160
YWW
Column 1, 2: Device Code
Column 3: Production Information
e.g.) YWW
-. Y: Year Code
-. WW: Week Code
Absolute maximum ratings (TC=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC) *
Drain current (Pulsed) *
Single pulsed avalanche energy (Note 2)
Repetitive avalanche current (Note 1)
Repetitive avalanche energy (Note 1)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
VDSS
VGSS
ID
Tc=25°C
Tc=100°C
IDM
EAS
IAR
EAR
PD
TJ
Tstg
* Limited only maximum junction temperature
Rev. date: 22-MAR-12
KSD-T6Q014-000
Rating
600
±30
1
0.77
4
49
1
2.5
28
150
-55~150
Unit
V
V
A
A
A
mJ
A
mJ
W
°C
°C
www.auk.co.kr
1 of 8
Fig. 7 VDSS - TJ
Fig. 8 RDS(on) - TJ
SMK0160IS
Fig. 9 ID - Ta
C
Fig. 10 Safe Operating Area
C
*
Rev. date: 22-MAR-12
KSD-T6Q014-000
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4페이지 Package Outline Dimensions
SMK0160IS
Rev. date: 22-MAR-12
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구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
SMK0160I | Advanced N-Ch Power MOSFET | AUK |
SMK0160IS | Advanced N-Ch Power MOSFET | KODENSHI KOREA |
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