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SMK0160IS 데이터시트 PDF




KODENSHI KOREA에서 제조한 전자 부품 SMK0160IS은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 SMK0160IS 자료 제공

부품번호 SMK0160IS 기능
기능 Advanced N-Ch Power MOSFET
제조업체 KODENSHI KOREA
로고 KODENSHI KOREA 로고


SMK0160IS 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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SMK0160IS 데이터시트, 핀배열, 회로
SMK0160IS
Advanced N-Ch Power MOSFET
SWITCHING REGULATOR APPLICATION
Features
Drain-Source breakdown voltage: BVDSS=600V (Min.)
Low gate charge: Qg=3.9nC (Typ.)
Low drain-source On resistance: RDS(on)=11.5(Max.)
100% avalanche tested
RoHS compliant device
Ordering Information
Part Number
SMK0160IS
Marking
SMK0160
Package
I-PAK
(Short Lead)
GDS
I-PAK
Marking Information
SMK
0160
YWW
Column 1, 2: Device Code
Column 3: Production Information
e.g.) YWW
-. Y: Year Code
-. WW: Week Code
Absolute maximum ratings (TC=25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current (DC) *
Drain current (Pulsed) *
Single pulsed avalanche energy (Note 2)
Repetitive avalanche current (Note 1)
Repetitive avalanche energy (Note 1)
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
VDSS
VGSS
ID
Tc=25°C
Tc=100°C
IDM
EAS
IAR
EAR
PD
TJ
Tstg
* Limited only maximum junction temperature
Rev. date: 22-MAR-12
KSD-T6Q014-000
Rating
600
±30
1
0.77
4
49
1
2.5
28
150
-55~150
Unit
V
V
A
A
A
mJ
A
mJ
W
°C
°C
www.auk.co.kr
1 of 8




SMK0160IS pdf, 반도체, 판매, 대치품
Fig. 7 VDSS - TJ
Fig. 8 RDS(on) - TJ
SMK0160IS
Fig. 9 ID - Ta
C
Fig. 10 Safe Operating Area
C
*
Rev. date: 22-MAR-12
KSD-T6Q014-000
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SMK0160IS 전자부품, 판매, 대치품
Package Outline Dimensions
SMK0160IS
Rev. date: 22-MAR-12
KSD-T6Q014-000
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