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HP8S36 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 HP8S36은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 HP8S36 자료 제공

부품번호 HP8S36 기능
기능 30V Nch+Nch Middle Power MOSFET
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


HP8S36 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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HP8S36 데이터시트, 핀배열, 회로
HP8S36
  30V Nch+Nch Middle Power MOSFET
Symbol
VDSS
RDS(on)(Max.)
ID
PD
Tr1:Nch Tr2:Nch
30V 30V
8.8mΩ 2.4mΩ
±27A ±80A
22W 29W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
3) Halogen Free.
4) Built in Schottky-barrier diode(Tr2)
lOutline
HSOP8
 
 
      
lInner circuit
   Datasheet
 
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
lApplication
Reel size (mm)
330
Switching
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
12
2500
Taping code
TB
Marking
HP8S36
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Value
Tr1:Nch Tr2:Nch
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
30 30
V
Continuous drain current
ID*1
±27 ±80
A
ID
±12 ±32
A
Pulsed drain current
IDP*2
±48 ±128
A
Gate - Source voltage
VGSS
±20 ±12
V
Avalanche current, single pulse
IAS*3
12 32
A
Avalanche energy, single pulse
EAS*3
5.3 39.3
mJ
Power dissipation
element
total
PD*1
22 29
W
PD*4 3.0 W
Junction temperature
Tj 150
Operating junction and storage temperature range
Tstg
-55 to +150
                                                                                        
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© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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20160515 - Rev.001    




HP8S36 pdf, 반도체, 판매, 대치품
HP8S36
          
lGate charge characteristics (Ta = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
<Tr2>
Qg*5
Qgs*5
Qgd*5
VDD 15V, ID = 12A
VGS = 4.5V
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Qg*5
Qgs*5
Qgd*5
VDD 15V, ID = 32A
VGS = 4.5V
                Datasheet
Values
Min. Typ. Max.
- 4.8 -
- 2.3 -
- 1.1 -
Unit
nC
Values
Min. Typ. Max.
- 47 -
- 19 -
- 9.5 -
Unit
nC
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
Pulse forward current
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
IS
ISP*2
VSD*5
trr*5
Qrr*5
Ta = 25
VGS = 0V, IS = 2.5A
IS = 12A, VGS = 0V
di/dt = 100A/μs
- - 2.5
- - 48
- - 1.2
- 21.4 -
- 11.8 -
<Tr2>
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min. Typ. Max.
Continuous forward current
Pulse forward current
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
IS
ISP*2
VSD*5
trr*5
Qrr*5
Ta = 25
VGS = 0V, IS = 2A
IS = 32A, VGS = 0V
di/dt = 100A/μs
- - 2.5
- - 128
- 0.6 0.8
- 32 -
- 23 -
Unit
A
V
ns
nC
Unit
A
V
ns
nC
                                                   
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HP8S36 전자부품, 판매, 대치품
HP8S36
      
lElectrical characteristic curves <Tr1>
        
Datasheet
Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
 Temperature
Fig.10 Forward Transfer Admittance  vs.
Drain Current
Fig.11 Drain Current Derating Curve
Fig.12 Static Drain - Source On - State
 Resistance vs. Gate Source Voltage
                                                                                          
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