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K20E60U 데이터시트 PDF




Toshiba에서 제조한 전자 부품 K20E60U은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 K20E60U 자료 제공

부품번호 K20E60U 기능
기능 TK20E60U
제조업체 Toshiba
로고 Toshiba 로고


K20E60U 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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K20E60U 데이터시트, 핀배열, 회로
TK20E60U
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS )
TK20E60U
Switching Regulator Applications
Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.165 (typ.)
High forward transfer admittance: Yfs= 12 S (typ.)
Low leakage current: IDSS = 100 A (VDS = 600 V)
Enhancement-mode: Vth = 3.0~5.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
DC (Note 1)
Pulse (t = 1 ms)
(Note 1)
Drain power dissipation (Tc = 25°C)
Single pulse avalanche energy
(Note 2)
Avalanche current
Repetitive avalanche energy (Note 3)
Channel temperature
Storage temperature range
Symbol
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
EAS
IAR
EAR
Tch
Tstg
Rating
600
±30
20
40
190
144
15
19
150
55~150
Unit
V
V
A
W
mJ
A
mJ
°C
°C
Unit: mm
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-10V1A
Weight : 1.35 g (typ.)
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute
maximum ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor
Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data
(i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).
Thermal Characteristics
Characteristics
Thermal resistance, channel to case
Thermal resistance, channel to ambient
Symbol
Rth (ch-c)
Rth (ch-a)
Max
0.658
83.3
Unit
°C/W
°C/W
2
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.
Note 2: VDD = 90 V, Tch = 25°C (initial), L = 1.12 mH, RG = 25 , IAR = 15 A
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.
1
3
1 2010-02-10




K20E60U pdf, 반도체, 판매, 대치품
RDS (ON) – Tc
0.5
Common source
VGS = 10 V
Pulse test
0.4
ID = 20 A
0.3 10
5
0.2
0.1
0
80 40 0 40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
TK20E60U
100
Common source
Tc = 25°C
Pulse test
IDR VDS
10
10
5
1
3
1 VGS = 0 V
0.1
0 0.4 0.8 1.2 1.6
Drainsource voltage VDS (V)
100000
C – VDS
10000
1000
100
Ciss Ciss
Coss Coss
10 Common source
VGS = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
1
0.1 1
Crss Crss
10 100
Drainsource voltage VDS (V)
Vth Tc
5
4
3
2
Common source
1 VDS = 10 V
ID = 1 mA
Pulse test
0
80 40 0 40 80 120
Case temperature Tc (°C)
160
PD Tc
250
200
150
100
50
0
0 40 80 120 160
Case temperature Tc (°C)
500
VDS
400
300
200
100
Dynamic input/output
characteristics
Common source 20
ID = 20 A
Tc = 25°C
Pulse test
16
200V
VDD = 100V
400V
VGS
12
8
4
00
0 10 20 30 40
Total gate charge Qg (nC)
4 2010-02-10

4페이지












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