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QH8MA3 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 QH8MA3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 QH8MA3 자료 제공

부품번호 QH8MA3 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


QH8MA3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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QH8MA3 데이터시트, 핀배열, 회로
QH8MA3
  30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
Symbol
VDSS
RDS(on)(Max.)
ID
PD
Tr1:Nch Tr2:Pch
30V -30V
29mΩ 48mΩ
±7.0A ±5.5A
2.5W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) Small Surface Mount Package (TSMT8).
3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
4) Halogen Free.
lOutline
TSMT8
 
 
 
      
lInner circuit
   Datasheet
      
 
 
 
 
      
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
lApplication
Reel size (mm)
180
Switching
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
8
3000
Taping code
TR
Marking
MA3
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) ,unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Value
Tr1:Nch Tr2:Pch
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
30 -30
V
Continuous drain current
ID*1
±7.0 ±5.5
A
Pulsed drain current
ID,
*2
pulse
±18 ±18
A
Gate - Source voltage
VGSS
±20 ±20
V
Avalanche energy, single pulse
EAS*4
1.8 1.1
mJ
Avalanche current
IAS*4
5.0 -4.0
A
Power dissipation
total PD*1 2.5
PD*3 1.5 W
element
PD*3
1.25
Junction temperature
Tj 150
Range of storage temperature
Tstg
-55 to +150
                                                                                        
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QH8MA3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
QH8MA3
          
                Datasheet
lGate charge characteristics (Ta = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
<Tr2>
Qg*5
Qgs*5
Qgd*5
VDD 15V
ID = 7A
VGS = 10V
VGS = 4.5V
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Qg*5
Qgs*5
Qgd*5
VGS = -10V
VDD -15V
ID = -5.5A VGS = -4.5V
Values
Min. Typ.
- 7.2
- 3.7
- 1.4
- 1.3
Max.
-
-
-
-
Unit
nC
Values
Min. Typ.
- 10
- 5.2
- 1.6
- 1.9
Max.
-
-
-
-
Unit
nC
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min. Typ. Max.
Body diode continuous
forward current
Body diode
pulse current
IS
Ta = 25
ISP*2
- - 1.0
- - 18
Forward voltage
<Tr2>
VSD*5 VGS = 0V, IS = 1A
- - 1.2
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min. Typ. Max.
Body diode continuous
forward current
Body diode
pulse current
IS
Ta = 25
ISP*2
- - -1.0
- - -18
Forward voltage
VSD*5 VGS = 0V, IS = -1A
- - -1.2
Unit
A
V
Unit
A
V
                                                                                               
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QH8MA3 전자부품, 판매, 대치품
QH8MA3
      
lElectrical characteristic curves <Tr1>
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
        
Datasheet
Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
 Temperature
Fig.10 Tranceconductance  vs. Drain
Current
                                                                                          
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