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부품번호 | QH8MA3 기능 |
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기능 | MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 20 페이지수
QH8MA3
30V Nch+Pch Middle Power MOSFET
Symbol
VDSS
RDS(on)(Max.)
ID
PD
Tr1:Nch Tr2:Pch
30V -30V
29mΩ 48mΩ
±7.0A ±5.5A
2.5W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) Small Surface Mount Package (TSMT8).
3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.
4) Halogen Free.
lOutline
TSMT8
lInner circuit
Datasheet
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
lApplication
Reel size (mm)
180
Switching
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
8
3000
Taping code
TR
Marking
MA3
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C) ,unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Value
Tr1:Nch Tr2:Pch
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
30 -30
V
Continuous drain current
ID*1
±7.0 ±5.5
A
Pulsed drain current
ID,
*2
pulse
±18 ±18
A
Gate - Source voltage
VGSS
±20 ±20
V
Avalanche energy, single pulse
EAS*4
1.8 1.1
mJ
Avalanche current
IAS*4
5.0 -4.0
A
Power dissipation
total PD*1 2.5
PD*3 1.5 W
element
PD*3
1.25
Junction temperature
Tj 150 ℃
Range of storage temperature
Tstg
-55 to +150
℃
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© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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20150730 - Rev.002
QH8MA3
Datasheet
lGate charge characteristics (Ta = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
<Tr2>
Qg*5
Qgs*5
Qgd*5
VDD ⋍ 15V
ID = 7A
VGS = 10V
VGS = 4.5V
Parameter
Symbol
Conditions
Total gate charge
Gate - Source charge
Gate - Drain charge
Qg*5
Qgs*5
Qgd*5
VGS = -10V
VDD ⋍ -15V
ID = -5.5A VGS = -4.5V
Values
Min. Typ.
- 7.2
- 3.7
- 1.4
- 1.3
Max.
-
-
-
-
Unit
nC
Values
Min. Typ.
- 10
- 5.2
- 1.6
- 1.9
Max.
-
-
-
-
Unit
nC
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
<Tr1>
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min. Typ. Max.
Body diode continuous
forward current
Body diode
pulse current
IS
Ta = 25℃
ISP*2
- - 1.0
- - 18
Forward voltage
<Tr2>
VSD*5 VGS = 0V, IS = 1A
- - 1.2
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Min. Typ. Max.
Body diode continuous
forward current
Body diode
pulse current
IS
Ta = 25℃
ISP*2
- - -1.0
- - -18
Forward voltage
VSD*5 VGS = 0V, IS = -1A
- - -1.2
Unit
A
V
Unit
A
V
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20150730 - Rev.002
4페이지 QH8MA3
lElectrical characteristic curves <Tr1>
Fig.8 Typical Transfer Characteristics
Datasheet
Fig.9 Gate Threshold Voltage vs. Junction
Temperature
Fig.10 Tranceconductance vs. Drain
Current
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QH8MA3 | MOSFET ( Transistor ) | ROHM Semiconductor |
QH8MA4 | MOSFET ( Transistor ) | ROHM Semiconductor |
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