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R6008MND3 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 R6008MND3은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 R6008MND3 자료 제공

부품번호 R6008MND3 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


R6008MND3 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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R6008MND3 데이터시트, 핀배열, 회로
R6008MND3
  Nch 600V 8A Power MOSFET
   Datasheet
VDSS
600V
lOutline
 
RDS(on)(Max.)
0.610Ω
ID
±8A
TO-252
PD
115W
 
      
lFeatures
1) Fast reverse recovery time (trr).
2) Low on-resistance.
3) Fast switching speed.
4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to
be ±30V.
5) Drive circuits can be simple.
6) Pb-free plating ; RoHS compliant
lInner circuit
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
Reel size (mm)
330
lApplication
Switching Power Supply
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
16
2500
Taping code
TL
Marking
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Value
R6008M
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
600 V
Continuous drain current (Tc = 25°C)
ID*1 ±8 A
Pulsed drain current
IDP*2 ±24 A
Gate - Source voltage
VGSS
±30 V
Avalanche current, single pulse
IAS 1.25 A
Avalanche energy, single pulse
EAS*3
0.42 mJ
Power dissipation (Tc = 25°C)
PD 115 W
Junction temperature
Tj 150
Operating junction and storage temperature range
Tstg
-55 to +150
                                                                                        
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© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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R6008MND3 pdf, 반도체, 판매, 대치품
R6008MND3
      
        
Datasheet
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
Parameter
Continuous forward
current
Pulse forward current
Symbol
Conditions
IS*1
TC = 25
ISP*2
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
8
24
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
VSD*3
trr*3
Qrr*3
Irrm*3
VGS = 0V, IS = 8A
IS = 8A
di/dt = 100A/μs
- - 1.5
40 65 90
120 200 280
---
Unit
A
A
V
ns
nC
A
lTypical transient thermal characteristics
Symbol
Value
Unit
Rth1 0.2694
Rth2 3.009
K/W
Rth3 24.88
Rth4 78.50
Symbol
Cth1
Cth2
Cth3
Cth4
Value
0.003122
0.05215
0.1771
0.006860
     
Unit
Ws/K
                                                                                          
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R6008MND3 전자부품, 판매, 대치품
R6008MND3
      
lElectrical characteristic curves
        
Datasheet
Fig.9 Normalized Gate Threshold Voltage.
     vs Junction Temperature
Fig.10 Forward Transfer Admittance vs.
     Drain Current
Fig.11 Static Drain - Source On - State
   Resistance vs. Gate Source Voltage
Fig.12 Normalized Static Drain - Source
   On - State Resistance
    vs. Junction Temperature
                                                                                          
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