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R6030MNX 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 R6030MNX은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 R6030MNX 자료 제공

부품번호 R6030MNX 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


R6030MNX 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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R6030MNX 데이터시트, 핀배열, 회로
R6030MNX
  Nch 600V 30A Power MOSFET
   Datasheet
VDSS
600V
lOutline
 
RDS(on)(Max.)
0.150Ω
ID
±30A
TO-220FM
PD
90W
 
      
lFeatures
1) Fast reverse recovery time (trr).
2) Low on-resistance.
3) Fast switching speed.
4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to
be ±30V.
5) Drive circuits can be simple.
6) Pb-free plating ; RoHS compliant
lInner circuit
lPackaging specifications
Packing
Bulk
Reel size (mm)
-
lApplication
Switching Power Supply
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
-
500
Taping code
-
Marking
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Value
R6030MNX
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
600 V
Continuous drain current (Tc = 25°C)
ID*1 ±30 A
Pulsed drain current
IDP*2 ±90 A
Gate - Source voltage
VGSS
±30 V
Avalanche current, single pulse
IAS 5.0 A
Avalanche energy, single pulse
EAS 6.7 mJ
Power dissipation (Tc = 25°C)
PD 90 W
Junction temperature
Tj 150
Operating junction and storage temperature range
Tstg
-55 to +150
                                                                                        
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R6030MNX pdf, 반도체, 판매, 대치품
R6030MNX
      
        
Datasheet
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
Parameter
Continuous forward
current
Pulse forward current
Symbol
Conditions
IS*1
TC = 25
ISP*2
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
30
90
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
VSD*3 VGS = 0V, IS = 30A
-
- 1.5
trr*3
Qrr*3
IS = 30A
di/dt = 100A/μs
Irrm*3
55 90 125
155 285 395
---
Unit
A
A
V
ns
nC
A
lTypical transient thermal characteristics
Symbol
Value
Unit
Rth1 0.3645
Rth2
10.53
K/W
Rth3 25.75
Symbol
Cth1
Cth2
Cth3
Value
0.05205
0.657
1.244
     
Unit
Ws/K
                                                                                          
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R6030MNX 전자부품, 판매, 대치품
R6030MNX
      
lElectrical characteristic curves
        
Datasheet
Fig.9 Normalized Gate Threshold Voltage.
     vs Junction Temperature
Fig.10 Forward Transfer Admittance vs.
     Drain Current
Fig.11 Static Drain - Source On - State
   Resistance vs. Gate Source Voltage
Fig.12 Normalized Static Drain - Source
   On - State Resistance
    vs. Junction Temperature
                                                                                          
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