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R6076MNZ1 데이터시트 PDF




ROHM Semiconductor에서 제조한 전자 부품 R6076MNZ1은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 R6076MNZ1 자료 제공

부품번호 R6076MNZ1 기능
기능 MOSFET ( Transistor )
제조업체 ROHM Semiconductor
로고 ROHM Semiconductor 로고


R6076MNZ1 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.




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R6076MNZ1 데이터시트, 핀배열, 회로
R6076MNZ1
  Nch 600V 76A Power MOSFET
   Datasheet
VDSS
600V
lOutline
 
RDS(on)(Max.)
0.055Ω
ID
±76A
TO-247
PD
740W
 
      
lFeatures
1) Fast reverse recovery time (trr).
2) Low on-resistance.
3) Fast switching speed.
4) Gate-source voltage (VGSS) guaranteed to
be ±30V.
5) Drive circuits can be simple.
6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
lInner circuit
lPackaging specifications
Packing
Tube
Reel size (mm)
-
lApplication
Switching Power Supply
Tape width (mm)
Type
Basic ordering unit (pcs)
-
450
Taping code
C9
Marking
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Value
R6076MNZ1
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
600 V
Continuous drain current (Tc = 25°C)
ID*1 ±76 A
Pulsed drain current
IDP*2
±228
A
Gate - Source voltage
VGSS
±30 V
Avalanche current, single pulse
IAS*4 16 A
Avalanche energy, single pulse
EAS*4
68.7 mJ
Power dissipation (Tc = 25°C)
PD 740 W
Junction temperature
Tj 150
Operating junction and storage temperature range
Tstg
-55 to +150
                                                                                        
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R6076MNZ1 pdf, 반도체, 판매, 대치품
R6076MNZ1
      
        
Datasheet
lBody diode electrical characteristics (Source-Drain) (Ta = 25°C)
Parameter
Continuous forward
current
Pulse forward current
Symbol
Conditions
IS*1
TC = 25
ISP*2
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
76
228
Forward voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Peak reverse recovery current
VSD*3
trr*3
Qrr*3
Irrm*3
VGS = 0V, IS = 20A
IS = 38A
di/dt = 100A/μs
- - 1.5
105 135 165
0.65 0.80 0.95
- 11.8 -
Unit
A
A
V
ns
μC
A
lTypical transient thermal characteristics
Symbol
Value
Unit
Rth1 0.05809
Rth2
0.6292
K/W
Rth3 35.45
Symbol
Cth1
Cth2
Cth3
Value
0.07889
0.4509
2.200
     
Unit
Ws/K
                                                                                          
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R6076MNZ1 전자부품, 판매, 대치품
R6076MNZ1
      
lElectrical characteristic curves
Fig.9 Gate Threshold Voltage vs.
     Junction Temperature
        
Datasheet
Fig.10 Forward Transfer Admittance vs.
     Drain Current
Fig.11 Static Drain - Source On - State
   Resistance vs. Gate Source Voltage
Fig.12 Static Drain - Source On - State
   Resistance vs. Junction Temperature
                                                                                          
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