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부품번호 | RS1L120GN 기능 |
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기능 | Power MOSFET ( Transistor ) | ||
제조업체 | ROHM Semiconductor | ||
로고 | |||
전체 14 페이지수
RS1L120GN
Nch 30V 38A Power MOSFET
Datasheet
VDSS
RDS(on)(Max.)
ID
PD
60V
12.7mΩ
±38A
30W
lFeatures
1) Low on - resistance.
2) High power package (HSOP8).
3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
4) Halogen free
5) 100% Rg and UIS tested.
lOutline
HSOP8
lInner circuit
lPackaging specifications
Packing
Embossed
Tape
Reel size (mm)
330
lApplication
Switching
Type Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
12
2500
Taping code
TB
Marking
lAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified)
RS1L120GN
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain - Source voltage
VDSS
60 V
Continuous drain current
Tc = 25°C
Ta = 25°C
ID*1
ID
±38 A
±12 A
Pulsed drain current
IDP*2 ±48 A
Gate - Source voltage
VGSS
±20 V
Avalanche current, single pulse
IAS*3 12 A
Avalanche energy, single pulse
EAS*3
10 mJ
Power dissipation
PD*1 30 W
PD*4 3.0 W
Junction temperature
Tj 150 ℃
Operating junction and storage temperature range
Tstg
-55 to +150
℃
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© 2016 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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20161028 - Rev.002
RS1L120GN
lElectrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Datasheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
Fig.4 Single Pulse Maximum Power
dissipation
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4페이지 RS1L120GN
lElectrical characteristic curves
Datasheet
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current (I)
Fig.15 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current (II)
Fig.16 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current (III)
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RS1L120GN | Power MOSFET ( Transistor ) | ROHM Semiconductor |
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