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부품번호 | P2060ZTF 기능 |
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기능 | N-Channel MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P2060ZTF / P2060ZTFS
N-Channel High Voltage Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
600V
190mΩ @VGS = 10V
ID
20A
TO-220F
TO-220FS
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 600
Gate-Source Voltage
VGS ±30
Continuous Drain Current2
Pulsed Drain Current1
Avalanche Current3
Avalanche Energy3
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
IAS
EAS
20
12
59
4
320
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
48
19
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.
3VDD = 50V, L = 40mH, starting TJ = 25°C
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
2.6
62.5
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2015/6/26
P2060ZTF / P2060ZTFS
N-Channel High Voltage Mode MOSFET
REV 1.0
4 2015/6/26
4페이지 P2060ZTF / P2060ZTFS
N-Channel High Voltage Mode MOSFET
A. Marking Information
B. Tape&Reel Information:50pcs/Tube(2000pcs/Box)
REV 1.0
7 2015/6/26
7페이지 | |||
구 성 | 총 9 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P2060ZT | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |
P2060ZT | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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