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KTD686 데이터시트 PDF




KEC에서 제조한 전자 부품 KTD686은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 KTD686 자료 제공

부품번호 KTD686 기능
기능 EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
제조업체 KEC
로고 KEC 로고


KTD686 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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KTD686 데이터시트, 핀배열, 회로
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
SWITCHING APPLICATION.
HAMMER DRIVER, PULSE MOTOR DRIVE APPLICATION.
FEATURE
High DC Current Gain : hFE=2000(Min.) (VCE=2V, IC=1A).
MAXIMUM RATING (Ta=25)
CHARACTERISTIC
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Collector Power Dissipation (Tc=25)
Junction Temperature
Storage Temperature Range
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEB0
IC
PC
Tj
Tstg
RATING
100
80
5
4
30
150
-55150
UNIT
V
V
V
A
W
KTD686
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
A
R
S
D
T
L
CC
MM
K
123
J
1. BASE
2. COLLECTOR (HEAT SINK)
3. EMITTER
P
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
MILLIMETERS
10.30 MAX
15.30 MAX
0.80
Φ3.60 +_ 0.20
3.00
6.70 MAX
13.60+_ 0.50
5.60 MAX
1.37 MAX
0.50
1.50 MAX
2.54
4.70 MAX
2.60
1.50 MAX
1.50
9.50+_ 0.20
8.00+_ 0.20
2.90 MAX
TO-220AB
EQUIVALENT CIRCUIT
BASE
~_ 4.5K
~_ 300
COLLECTOR
EMITTER
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
Collector Cut-off Current
Emitter Cut-off Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
DC Current Gain
Saturation
Voltage
Collector-Emitter
Base-Emitter
ICBO
IEBO
V(BR)CEO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE(sat)
TEST CONDITION
VCB=100V, IE=0
VEB=5V, IC=0
IC=10mA, IB=0
VCE=2V, IC=1A
VCE=2V, IC=3A
IC=3A, IB=6mA
IC=3A, IB=6mA
Switching
Time
Turn-on Time
Storage Time
Fall Time
ton 20µsec INPUT I B1 OUTPUT
IB1
tstg 0
I B2
IB2
10
tf
I B1 =-I B2 =6mA
DUTY CYCLE 1%
VCC =30V
MIN.
-
-
80
2000
1000
-
-
-
TYP.
-
-
-
-
-
-
-
0.2
MAX.
20
2.5
-
-
-
1.5
2.0
-
UNIT
A
mA
V
V
- 1.5 - S
- 0.6 -
1994. 12. 23
Revision No : 0
1/2





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다운로드[ KTD686.PDF 데이터시트 ]

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