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P0808ATG 데이터시트 PDF




NIKO-SEM에서 제조한 전자 부품 P0808ATG은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P0808ATG 자료 제공

부품번호 P0808ATG 기능
기능 N-Channel Field Effect Transistor
제조업체 NIKO-SEM
로고 NIKO-SEM 로고


P0808ATG 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P0808ATG 데이터시트, 핀배열, 회로
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P0808ATG
Field Effect Transistor
TO-220
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
75 8mΩ
ID
89A
D
G
S
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current1
Pulsed Drain Current2
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
LIMITS
±20
89
63
250
85
362
160
80
-55 to 175
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RθJC
Case-to-Heatsink
RθCS
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Limited by package.
TYPICAL
0.5
MAXIMUM
0.94
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current1
Drain-Source On-State
Resistance1
Forward Transconductance1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
ID(ON)
RDS(ON)
gfs
STATIC
VGS = 0V, ID = 250µA
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 60V, VGS = 0V
VDS = 60V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
VDS = 10V, VGS = 10V
VGS = 10V, ID = 80A
VDS = 50V, ID = 80A
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
75
2 2.3 4.0
V
±250 nA
1
µA
10
85 A
6.5 8 mΩ
50 S
REV 1.2
1 Oct-26-2009




P0808ATG pdf, 반도체, 판매, 대치품
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P0808ATG
Field Effect Transistor
TO-220
Halogen-Free & Lead-Free
100 Drain Current VS Temperature
90
Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage
20
80 15
70
60 12 VDS=60V
50 ID= 80A
40 8
30
20 4
10
0
25 50 75 100 125 150
TA ,Ambient Temperature[˚۫ C]
Safe Operating Area
1000
Operation in This
Area is Lim ited by
RDS(ON)
100
100us
175
0
0
35 70
105 140
Qg, Total Gate Charge (nC)
Single Pulse Maximum Power Dissipation
5000
4000
3000
SINGLE PULSE
RθJC =0.94˚ C/W
TC=25˚ C
1m s
10
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TC=25˚ C
3.RθJC = 0.94˚ C/W
4.Single Pulse
10m s
DC
1
1 10 100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
2000
1000
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
1000 Single Pulse Time(s)
1.00E+01
Transient Thermal Response Curve
10
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
1.00E-01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single Pluse
1.00E-02
1.E-04
Note
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 0.94 oC/W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
1.E-03
1.E-02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
1.E-01
1.E+00
REV 1.2
4 Oct-26-2009

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