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부품번호 | P8010BT 기능 |
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기능 | N-Channel Field Effect Transistor | ||
제조업체 | NIKO-SEM | ||
로고 | |||
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P8010BT
Field Effect Transistor
TO-220
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
85mΩ
ID
17A
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
Avalanche Current
Avalanche Energy2
Power Dissipation
Junction & Storage Temperature Range
TC = 25 °C
TC = 100 °C
TC = 25 °C
TC = 100 °C
VDS
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
TJ, Tstg
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RJC
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Starting Tj =25 °C,L=0.1mH,VDD=50V
TYPICAL
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
LIMITS
100
±20
17
10
35
13
8.5
54
21
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
MAXIMUM
2.3
62.5
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Drain-Source On-State
Resistance1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(ON)
RDS(ON)
STATIC
VGS = 0V, ID = 250A
VDS = VGS, ID = 250A
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 80V, VGS = 0V
VDS=80V, VGS=0V, TJ=125 °C
VGS = 4.5V, ID = 10A
VGS = 10V, ID = 15A
LIMITS
MIN TYP MAX
UNIT
100
1.3 1.8 2.3
V
±100 nA
1
A
10
63 95 mΩ
61 85 mΩ
REV1.0
1
D-51-3
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P8010BT
Field Effect Transistor
TO-220
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
100
Operation in This
Area is Limited by
RDS(ON)
10
1
0.1
0.1
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TC=25˚C
3.RθJC = 2.3 ˚C/W
4.Single Pulse
1ms
10ms
100ms
DC
1 10 100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1000
Single Pulse Maximum Power Dissipation
250
Single Pulse
200 RθJC = 2.3 ˚C/W
TC=25˚C
150
100
50
0
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse Time(s)
100
Transient Thermal Response Curve
10
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
0.1 single pulse
0.01
0.0001
0.001
Notes
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 2.3 ℃/W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
0.01
0.1
1
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
10
100
REV1.0
4
D-51-3
4페이지 | |||
구 성 | 총 4 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P8010BD | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |
P8010BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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