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PA410BTF 데이터시트 PDF




NIKO-SEM에서 제조한 전자 부품 PA410BTF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PA410BTF 자료 제공

부품번호 PA410BTF 기능
기능 N-Channel Field Effect Transistor
제조업체 NIKO-SEM
로고 NIKO-SEM 로고


PA410BTF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PA410BTF 데이터시트, 핀배열, 회로
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
PA410BTF
Field Effect Transistor
TO-220F
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
140mΩ
ID
10A
D
G
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
Avalanche Current
Avalanche Energy
Power Dissipation
Junction & Storage Temperature Range
TC = 25 °C
TC = 100 °C
L = 0.1mH
TC = 25 °C
TC = 100 °C
VDS
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
TJ, Tstg
LIMITS
100
±20
10
6
30
9.8
4.8
29
11
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RJC
Junction-to-Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
TYPICAL
MAXIMUM
4.2
62.5
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
Drain-Source On-State
Resistance1
Forward Transconductance1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
RDS(ON)
gfs
STATIC
VGS = 0V, ID = 250A
VDS = VGS, ID = 250A
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 80V , VGS = 0V
VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
VGS = 4.5V, ID = 5A
VGS = 10V , ID = 5A
VDS = 10V, ID = 5A
LIMITS UNIT
MIN TYP MAX
100
1.3 1.8 2.3
V
±100 nA
1
10 A
105 170
mΩ
95 140
13 S
REV 1.0
1
D-37-2




PA410BTF pdf, 반도체, 판매, 대치품
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
PA410BTF
Field Effect Transistor
TO-220F
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
100
Operation in This Area is
Limited by RDS(ON)
10
Single Pulse Maximum Power Dissipation
150
Single Pulse
120 RθJC = 4.2 ˚C/W
TC=25˚C
90
1
0.1
1
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TC=25˚C
3.RθJC = 4.2 ˚C/W
4.Single Pulse
1ms
10ms
100ms
DC
10 100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1000
60
30
0
0.001
0.01
0.1
1
10
Single Pulse Time(s)
Transient Thermal Response Curve
10
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1
100
0.1
single pulse
Notes
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 4.2 /W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10 100
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
REV 1.0
4
D-37-2

4페이지












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