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P2806ATF 데이터시트 PDF




NIKO-SEM에서 제조한 전자 부품 P2806ATF은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


 

PDF 형식의 P2806ATF 자료 제공

부품번호 P2806ATF 기능
기능 N-Channel Field Effect Transistor
제조업체 NIKO-SEM
로고 NIKO-SEM 로고


P2806ATF 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P2806ATF 데이터시트, 핀배열, 회로
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P2806ATF
Field Effect Transistor
TO-220F
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 30mΩ
ID
27A
D
G
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
LIMITS
±20
27
17
105
29
41
40
16
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RθJC
Junction-to-Ambient
RθJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
TYPICAL
MAXIMUM
3.1
62.5
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current1
Drain-Source On-State
Resistance1
Forward Transconductance1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
ID(ON)
RDS(ON)
gfs
STATIC
VGS = 0V, ID = 250µA
VDS = VGS, ID = 250µA
VDS = 0V, VGS = ±20V
VDS = 48V, VGS = 0V
VDS = 40V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
VDS = 5V, VGS = 10V
VGS = 10V, ID = 25A
VDS = 5V, ID = 25A
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
60
1.8 2.4
4
V
±250 nA
1
µA
10
110 A
26 30 mΩ
25 S
REV 0.9
Jan-08-2010
1




P2806ATF pdf, 반도체, 판매, 대치품
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
P2806ATF
Field Effect Transistor
TO-220F
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
1000
Operation in This
Area is Lim ited
by RDS(ON)
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
500
400 SINGLE PULSE
RθJC = 3.1˚ C/W
TC=25˚ C
300
10
100us
200
1m s
1 NOTE :
1.VGS= 10V
10m s
DC
100
2.TC=25˚ C
3.RθJC = 3.1˚ C/W
4.Single Pulse
0.1 0
1
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
Single Pulse Time(s)
1.00E+01
Transient Thermal Response Curve
1.00E+00
Duty Cycle=0.5
0.1
1.00E-01
0.2
0.05
0.02
0.01
single Pluse
1.00E-02
1.E-05
1.E-04
1.E-03
1.E-02
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
Note
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJC = 3.1 oC/W
3.TJ-TC = P*RthJC(t)
4.RthJC(t) = r(t)*RthJC
1.E-01
1.E+00
REV 0.9
Jan-08-2010
4

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