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부품번호 | P2610ADG 기능 |
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기능 | N-Channel Field Effect Transistor | ||
제조업체 | NIKO-SEM | ||
로고 | |||
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode Field
Effect Transistor
P2610ADG
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
100V
26mΩ
ID
50A
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
VDS
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VGS
ID
IDM
IAS
EAS
PD
Tj, Tstg
1. GATE
2. DRAIN
3. SOURCE
LIMITS
100
±20
50
35.5
150
53
140
128
51
-55 to 150
UNITS
V
V
A
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
Junction-to-Case
RJC
Junction-to-Ambient
RJA
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
TYPICAL
MAXIMUM
0.97
62.5
UNITS
°C / W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25 °C, Unless Otherwise Noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
STATIC
LIMITS
UNIT
MIN TYP MAX
Drain-Source Breakdown Voltage
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
Zero Gate Voltage Drain Current
On-State Drain Current1
V(BR)DSS
VGS(th)
IGSS
IDSS
ID(ON)
VGS = 0V, ID = 250A
VDS = VGS, ID = 250A
100
1.7 2.5
3.4
V
VDS = 0V, VGS = ±20V
±250 nA
VDS = 80V, VGS = 0V
VDS = 80V, VGS = 0V, TJ = 125 °C
1
A
10
VDS = 10V, VGS = 10V
150
A
REV 1.3
Nov-25-2009
1
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode Field
Effect Transistor
P2610ADG
TO-252
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
1000
Operation in This Area
is Lim ite d by RDS(ON)
↓
100
100us
10
1
1
NOTE :
1.VGS= 10V
2.Tc=25˚ C
3.RθJc = 0.97˚ C/W
4.Single Pulse
10
1m s
10m s
100m s
DC
100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1000
Single Pulse Maximum Power
3000
Dissipation
2500
2000
SINGLE PULSE
RθJc = 0.97˚ C/W
Tc=25˚ C
1500
1000
500
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
10
10 0
D = 0.5
1 0 -1
0 .2
0 .1
0.05
0.02
0 .01
1 0 -2
1 0 -5
T ransient T he rm al R espo nse C u rve
sin g le p u lse
※ Note :
1 . D uty F a c to r, D = t1/ t2
2 . T J - T C= P *Z θ JC(t)
3 . Z θ JC(t)= r(t)*R θ JC
4. R θJC= 0.97 C /W M ax
P DM
t1
t2
1 0 -4
1 0 -3
1 0 -2
1 0 -1
100
t1,S qu are W av e P uls e D uration [se c]
101
REV 1.3
Nov-25-2009
4
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P2610ADG | N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |
P2610ADG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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