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부품번호 | P1006BK 기능 |
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기능 | N-Channel Field Effect Transistor | ||
제조업체 | NIKO-SEM | ||
로고 | |||
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
P1006BK
PDFN 5x6P
Halogen-Free & Lead-Free
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 10mΩ
ID
43A
D
G
S
D D DD
#1 S S S G
G. GATE
D. DRAIN
S. SOURCE
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Continuous Drain Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Avalanche Current
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
VDS
VGS
ID
IDM
ID
IAS
EAS
PD
PD
Tj, Tstg
LIMITS
60
±20
43
27
120
10
8
38
72
41
16
2.1
1.4
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL
MAXIMUM
UNITS
Junction-to-Ambient2
Junction-to-Case
RJA
RJC
58
°C / W
3
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
3Package limitation current is 35A.
REV 1.0
1
D-51-3
NIKO-SEM
N-Channel Enhancement Mode
Field Effect Transistor
P1006BK
PDFN 5x6P
Halogen-Free & Lead-Free
Safe Operating Area
1000
100
Operation in This Area
is Limited by RDS(ON)
↓
Single Pulse Maximum Power Dissipation
120
Single Pulse
100
RθJA = 58˚C/W
TA=25˚C
10
1
0.1
0.01
0.1
NOTE :
1.VGS= 10V
2.TA=25˚C
3.RθJA = 58˚C/W
4.Single Pulse
1ms
10ms
100ms
DC
1 10 100
VDS, Drain-To-Source Voltage(V)
1000
80
60
40
20
0
0.001
0.01
0.1
1
Single Pulse Time(s)
10
100
Transient Thermal Response Curve
10
1
0.1
0.01
Duty cycle=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
single pulse
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T1 , Square Wave Pulse Duration[sec]
Notes
1.Duty cycle, D= t1 / t2
2.RthJA = 58 ℃/W
3.TJ-TA = P*RthJA(t)
4.RthJA(t) = r(t)*RthJA
10 100
REV 1.0
4
D-51-3
4페이지 | |||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P1006BD | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
P1006BIS | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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