|
|
|
부품번호 | P6503FM 기능 |
|
|
기능 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P6503FM
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
-30V
65mΩ @VGS = -4.5V
ID
-3.6A
SOT-23
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS -30
Gate-Source Voltage
VGS ±12
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
IDM
-3.6
-3
-19
Avalanche Current
IAS -19
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
18
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
PD
1
0.5
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM UNITS
130 °C / W
REV 1.1
1 2016/1/22
P6503FM
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.1
4 2016/1/22
4페이지 P6503FM
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.1
7 2016/1/22
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ P6503FM.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P6503FM | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
P6503FM6 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |