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부품번호 | P4006DV 기능 |
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기능 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P4006DV
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
-60V
40mΩ @VGS = -10V
ID
-5.9A
SOP- 08
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS -60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
IDM
-5.9
-4.7
-40
Avalanche Current
Avalanche Energy2
L = 0.1mH
IAS
EAS
-40
80
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
PD
2.5
1.6
Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2VDD = -30V. Starting TJ = 25°C.
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
25
50
UNITS
°C / W
Ver 1.0
1 2012/4/13
P4006DV
P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.0
4 2012/4/13
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P4006DV | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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