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부품번호 | P4006BV 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P4006BV
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 40mΩ @VGS = 10V
ID
4.3A
SOP-8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
IDM
4.3
3.4
20
Avalanche Current
IAS 18
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
16.2
Power Dissipation
TA= 25 °C
TA =70 °C
PD
1.6
1
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Ambient
RqJA
76
Junction-to-Case
RqJC
30
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2The value of RqJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2017/1/11
P4006BV
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
4 2017/1/11
4페이지 P4006BV
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
7 2017/1/11
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P4006BV | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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