|
|
|
부품번호 | P5003QVG 기능 |
|
|
기능 | N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P5003QVG
N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
30V
RDS(ON)
27.5mΩ @VGS = 10V
-30V
45mΩ @VGS = -10V
ID Channel
10A N
-7A P
SOP-8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
CH. LIMITS
Drain-Source Voltage
N 30
VDS P -30
Gate-Source Voltage
N ±20
VGS P ±20
Continuous Drain Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
N 10
P -7
ID N 7
P -5
Pulsed Drain Current1
N 20
IDM
P -20
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
N 2.5
P 2.5
PD N 1.6
P 1.6
Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Duty cycle≤1%.
SYMBOL
RqJA
RqJC
TYPICAL
MAXIMUM
50
30
UNITS
°C / W
°C / W
Ver 1.0
1 2013-4-18
P5003QVG
N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.0
4 2013-4-18
4페이지 P5003QVG
N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.0
7 2013-4-18
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
다운로드 | [ P5003QVG.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P5003QVG | N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
P5003QVT | N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |