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부품번호 | P6006HV 기능 |
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기능 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P6006HV
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 60mΩ @VGS = 10V
ID
4.5A
SOP-8
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA= 70 °C
ID
IDM
4.5
3.2
20
Avalanche Current
IAS 18
Avalanche Energy
L =0.1mH
EAS
16
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA= 70°C
PD
2
1.28
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Lead
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJL
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
60
62.5
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2014-2-27
P6006HV
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
4 2014-2-27
4페이지 | |||
구 성 | 총 5 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P6006HV | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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