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부품번호 | PB544DU 기능 |
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기능 | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
PB544DU
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
20V 13.5mΩ @VGS = 10V
ID
10A
PDFN 2X3S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 20
Gate-Source Voltage
VGS ±8
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TA = 25 °C
TA = 70°C
ID
IDM
10
8.2
40
Avalanche Current
IAS 17
Avalanche Energy3
EAS 14.4
Power Dissipation
TA= 25 °C
TA= 70 °C
PD
2.3
1.4
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL
TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Ambient2
RqJA
54
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2The value of RqJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2013-12-16
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구 성 | 총 3 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PB544DU | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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