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PE5C6JZ PDF 데이터시트 : 부품 기능 및 핀배열

부품번호 PE5C6JZ
기능 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 UNIKC
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PE5C6JZ 데이터시트, 핀배열, 회로
PE5C6JZ
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
24V 5.5mΩ @VGS = 4.5V
ID
54A
PDFN 3X3S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 24
Gate-Source Voltage
VGS ±12
TC = 25 °C
54
Continuous Drain Current2
TC = 100 °C
TA = 25 °C
ID
34
16
Pulsed Drain Current1
TA= 70 °C
IDM
13
90
Avalanche Current
IAS 28
Avalanche Energy
L =0.1mH
EAS
39
TC = 25 °C
27
Power Dissipation
TC = 100 °C
TA = 25 °C
PD
11
2.5
TA = 70 °C
1.6
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Ambient3
RqJA
50
Junction-to-Case
RqJC
4.5
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2Package limitation current is 13A.
3The value of RqJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
UNITS
°C / W
REV 1.0
1 2016/7/20




PE5C6JZ pdf, 반도체, 판매, 대치품
PE5C6JZ
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
4 2016/7/20

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