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부품번호 | P6003QEA 기능 |
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기능 | P&N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P6003QEA
N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 24mΩ @VGS = 10V
-30V
60mΩ @VGS = -10V
ID
20A
-12A
Channel
N
P
PDFN 3x3P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
CH. LIMITS
Drain-Source Voltage
N 30
VDS P -30
Gate-Source Voltage
N ±20
VGS P ±20
TC = 25 °C
N 20
P -12
Continuous Drain Current2
TC = 100 °C
TA = 25 °C
ID
N 13
P -8
N 7.3
P -4.3
TA = 70 °C
N 5.8
P -3.4
Pulsed Drain Current1
N 60
IDM P -30
Avalanche Current
N 17.4
IAS P -18
Avalanche Energy
L = 0.1mH
N 15
EAS P 16.2
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
N 16
P 15
N6
P6
Ver 1.0
1
UNITS
V
A
mJ
W
2012/4/3
P6003QEA
N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.0
4 2012/4/3
4페이지 P6003QEA
N&P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.0
7 2012/4/3
7페이지 | |||
구 성 | 총 8 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P6003QEA | P&N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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