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P261AFEA 데이터시트 PDF




UNIKC에서 제조한 전자 부품 P261AFEA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 P261AFEA 자료 제공

부품번호 P261AFEA 기능
기능 P-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 UNIKC
로고 UNIKC 로고


P261AFEA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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P261AFEA 데이터시트, 핀배열, 회로
P261AFEA
P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
-12V
20mΩ @VGS = -4.5V
ID
-32A
PDFN 3x3P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS -12
VGS ±8
TC = 25 °C
-32
Continuous Drain Current2
Pulsed Drain Current1
Avalanche Current
TC = 100 °C
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
IDM
IAS
-20
-9
-7
-60
-36.7
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
67.5
TC = 25 °C
31
Power Dissipation
TC = 100 °C
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Operating Junction & Storage Temperature Range
PD
TJ, TSTG
12
2
1.3
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
REV 1.2 1 2014/6/9




P261AFEA pdf, 반도체, 판매, 대치품
P261AFEA
P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET
REV 1.2 4 2014/6/9

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