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부품번호 | PE597BA 기능 |
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기능 | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
PE597BA
P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
-20V
35mΩ @VGS = -4.5V
ID
-17A
PDFN 3x3P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
VDS -20
VGS ±12
TC = 25 °C
-17
Continuous Drain Current4
Pulsed Drain Current1
Avalanche Current
TC = 100 °C
TA = 25 °C
TA = 70 °C
ID
IDM
IAS
-11
-7
-6
-28
-14
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
10
TC = 25 °C
16
Power Dissipation3
Junction & Storage Temperature Range
TC = 100 °C
TA = 25 °C
TA = 70 °C
PD
TJ, TSTG
6
3
2
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
REV1.0
1 2016/12/8
PE597BA
P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET
REV1.0
4 2016/12/8
4페이지 PE597BA
P-Channel Logic Level Enhancement Mode MOSFET
A. Marking Information(此产品代码为:M3)
B. Tape&Reel Information:5000pcs/Reel
REV1.0
7 2016/12/8
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구 성 | 총 9 페이지수 | ||
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PE597BA | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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