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부품번호 | P3606HK 기능 |
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기능 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
P3606HK
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 38mΩ @VGS = 10V
ID
15A
PDFN 5*6P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
15
ID 10
IDM 40
Continuous Drain Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
5
ID 4
Avalanche Current
IAS 18.6
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS 17.3
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
20.8
PD 8
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
2.3
PD 1.5
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Case
RqJC
6
Junction-to-Ambient2
RqJA
55
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2The value of RqJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
UNITS
°C / W
REV 1.1
1 2015/12/10
P3606HK
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.1
4 2015/12/10
4페이지 P3606HK
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.1
7 2015/12/10
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
P3606HK | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
P3606HK | Dual N-Channel Field Effect Transistor | NIKO-SEM |
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