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PK516BA 데이터시트 PDF




UNIKC에서 제조한 전자 부품 PK516BA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PK516BA 자료 제공

부품번호 PK516BA 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 UNIKC
로고 UNIKC 로고


PK516BA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PK516BA 데이터시트, 핀배열, 회로
PK516BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 7mΩ @VGS = 10V
ID
51A
PDFN 5*6P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 30
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
51
ID
32
IDM 120
Continuous Drain Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
14
ID 11
Avalanche Current
IAS 27
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS 36
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
31
PD 12
Power Dissipation
TA = 25 °C
TA = 70 °C
2.4
PD 1.5
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, TSTG
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Case
RqJC
4
Junction-to-Ambient2
RqJA
51
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2The value of RqJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz.Copper, in a still air
environment with TA=25°C
3Package limitation current is 40A.
UNITS
°C / W
Rev 1.0
1 2015/4/13




PK516BA pdf, 반도체, 판매, 대치품
PK516BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Rev 1.0
4 2015/4/13

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