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PK5E4BA 데이터시트 PDF




UNIKC에서 제조한 전자 부품 PK5E4BA은 전자 산업 및 응용 분야에서
광범위하게 사용되는 반도체 소자입니다.


PDF 형식의 PK5E4BA 자료 제공

부품번호 PK5E4BA 기능
기능 N-Channel Enhancement Mode MOSFET
제조업체 UNIKC
로고 UNIKC 로고


PK5E4BA 데이터시트 를 다운로드하여 반도체의 전기적 특성과 매개변수에 대해 알아보세요.



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PK5E4BA 데이터시트, 핀배열, 회로
PK5E4BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 9.5mΩ @VGS = 10V
ID
40A
PDFN 5X6P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 30
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current3
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
40
25
120
Continuous Drain Current
TA = 25 °C
TA= 70 °C
ID
14
11
Avalanche Current
IAS 21
Avalanche Energy
L =0.1mH
EAS
22
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
29
12
Power Dissipation4
TA = 25 °C
TA = 70 °C
PD
3.9
2.5
Operating Junction & Storage Temperature Range
TJ, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
V
A
mJ
W
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
SYMBOL TYPICAL MAXIMUM
Junction-to-Ambient2
Junction-to-Ambient2
t 10s
Steady-State
RqJA
RqJA
32
58
Junction-to-Case
Steady-State
RqJC
4.2
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
2The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air
environment with TA =25°C.
3Package limitation current is 35A.
4The Power dissipation is based on RqJA t 10s value.
UNITS
°C / W
REV 1.0 1 2017/1/6




PK5E4BA pdf, 반도체, 판매, 대치품
PK5E4BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0 4 2017/1/6

4페이지










PK5E4BA 전자부품, 판매, 대치품
PK5E4BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0 7 2017/1/6

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