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부품번호 | PK612DZ 기능 |
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기능 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
PK612DZ
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
30V
RDS(ON)
1.9mΩ @VGS = 10V
30V 5.5mΩ @VGS = 10V
ID CH.
95A Q2
48A Q1
PDFN 5*6P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL CH.
LIMITS
Drain-Source Voltage
Q2
VDS
Q1
30
30
Gate-Source Voltage
Q2
VGS
Q1
±20
±20
Continuous Drain Current3
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Q2
Q1
ID
Q2
Q1
95
48
60
30
Pulsed Drain Current1
Q2
IDM Q1
150
120
Continuous Drain Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Q2
Q1
ID
Q2
Q1
24
13
19
10
Avalanche Current
Q2
IAS
Q1
53
26
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Q2
EAS
Q1
140
33.8
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Q2
Q1
PD Q2
Q1
36
25
14
10
UNITS
V
A
mJ
W
REV 1.0
1 2015/9/17
PK612DZ
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Q2
REV 1.0
4 2015/9/17
4페이지 PK612DZ
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0
7 2015/9/17
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부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PK612DZ | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
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