|
|
|
부품번호 | PKC50DY 기능 |
|
|
기능 | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | ||
제조업체 | UNIKC | ||
로고 | |||
PKC50DY
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
30V
RDS(ON)
1.65mΩ @VGS = 10V
30V 9.5mΩ @VGS = 10V
ID CH.
120A Q2
37A Q1
PDFN 5*6P
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL CH.
LIMITS
Drain-Source Voltage
Q2
VDS
Q1
30
30
Gate-Source Voltage
Q2
VGS
Q1
±20
±20
Continuous Drain Current3
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Q2
Q1
ID
Q2
Q1
120
37
76
23
Pulsed Drain Current1
Q2
IDM Q1
200
70
Continuous Drain Current
TA = 25 °C
TA = 70 °C
Q2
Q1
ID
Q2
Q1
27
10
22
8.1
Avalanche Current
Q2
IAS
Q1
62
22
Avalanche Energy
L = 0.1mH
Q2
EAS
Q1
192
24
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
Q2
Q1
PD Q2
Q1
48
25
19
10
REV 1.0
1
UNITS
V
A
mJ
W
2017/1/3
PKC50DY
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Q2
REV 1.0 4 2017/1/3
4페이지 PKC50DY
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
REV 1.0 7 2017/1/3
7페이지 | |||
구 성 | 총 11 페이지수 | ||
다운로드 | [ PKC50DY.PDF 데이터시트 ] |
당사 플랫폼은 키워드, 제품 이름 또는 부품 번호를 사용하여 검색할 수 있는 |
구매 문의 | 일반 IC 문의 : 샘플 및 소량 구매 ----------------------------------------------------------------------- IGBT, TR 모듈, SCR 및 다이오드 모듈을 포함한 광범위한 전력 반도체를 판매합니다. 전력 반도체 전문업체 상호 : 아이지 인터내셔날 사이트 방문 : [ 홈페이지 ] [ 블로그 1 ] [ 블로그 2 ] |
부품번호 | 상세설명 및 기능 | 제조사 |
PKC50DY | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
DataSheet.kr | 2020 | 연락처 | 링크모음 | 검색 | 사이트맵 |